高性能铟镓砷APD

埃赛力达C30645ECERH经过优化，用于1550nm波长，是人眼安全激光测距系统的理想设备。\n\n功能与优点：\n\n大面积InGaAs APD 80 µm直径\n\n陶瓷基座载体\n\n光谱响应：1000至1700 nm\n\n低噪声和暗电流\n\n高增益和高量子探测效率\n\n带宽超过1000 MHz\n\n可定制修改以满足特定需求\n\n应用领域：\n\n激光测距、扫描和视频成像\n\n光学和自由空间通信\n\n扫描和视频成像\n\n光学和自由空间通信分光光度计和反射测量 • 感光直径：80 µm\n\n• 击穿电压：40-70 V\n\n• 温度系数：0.14V/°C\n\n• 响应度：在1550 nm为9.3 A/W\n\n• 暗电流：3 nA\n\n• 光谱噪声电流：0.2 pA/√Hz\n\n• 结电容：1.25 pF\n\n• 带宽：1000 MHz\n\n• 量子效率：在1300-1550nm为75%\n\n• 增益：20\n\n• 封装：2x4mm陶瓷基板载体;

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埃赛力达

Package：2-SMD；包装：带 类别：传感器，变送器 光学传感器 - 光电二极管 描述：INGAAS APD, 80UM, CERAMIC SUBMOU

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埃赛力达

InGaAs Avalanche Photodiode

Description PerkinElmer C30659 Series includes a Silicon or InGaAs Avalanche Photodiode with a hybrid preamplifier. It is supplied in a single modified 12-lead TO-8 package. The avalanche photodiodes used in these devices are the C30817E, C30902E, C30954E, C30956E, C30645E and C30662E that prov

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