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C30645ECERH中文资料高性能铟镓砷APD数据手册Excelitas规格书

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厂商型号

C30645ECERH

参数属性

C30645ECERH 封装/外壳为2-SMD;包装为带;类别为传感器变送器的光学传感器-光电二极管;产品描述:INGAAS APD, 80UM, CERAMIC SUBMOU

功能描述

高性能铟镓砷APD
INGAAS APD, 80UM, CERAMIC SUBMOU

封装外壳

2-SMD

制造商

Excelitas Excelitas Technologies

中文名称

埃赛力达

数据手册

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更新时间

2025-9-30 8:09:00

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C30645ECERH规格书详情

描述 Description

埃赛力达C30645ECERH经过优化,用于1550nm波长,是人眼安全激光测距系统的理想设备。

功能与优点:

大面积InGaAs APD 80 µm直径

陶瓷基座载体

光谱响应:1000至1700 nm

低噪声和暗电流

高增益和高量子探测效率

带宽超过1000 MHz

可定制修改以满足特定需求

应用领域:

激光测距、扫描和视频成像

光学和自由空间通信

扫描和视频成像

光学和自由空间通信分光光度计和反射测量

特性 Features

• 感光直径:80 µm

• 击穿电压:40-70 V

• 温度系数:0.14V/°C

• 响应度:在1550 nm为9.3 A/W

• 暗电流:3 nA

• 光谱噪声电流:0.2 pA/√Hz

• 结电容:1.25 pF

• 带宽:1000 MHz

• 量子效率:在1300-1550nm为75%

• 增益:20

• 封装:2x4mm陶瓷基板载体

简介

C30645ECERH属于传感器变送器的光学传感器-光电二极管。由制造生产的C30645ECERH光学传感器 - 光电二极管光电二极管系列产品可用于检测和测量光。基于类似于整流二极管中的光与半导体结的相互作用,市面上提供了适用于各种用途的器件。有些器件具有适用于窄波长范围的灵敏度,有些器件则具有适用于宽范围的灵敏度。有些器件适用于检测高速信号,例如光纤通信中的信号,有些器件则适用于检测极低光度(甚至单个光子),应用范围从医学成像到测距。

技术参数

更多
  • 产品编号:

    C30645ECERH

  • 制造商:

    Excelitas Technologies

  • 类别:

    传感器,变送器 > 光学传感器 - 光电二极管

  • 系列:

    C30645

  • 包装:

  • 波长:

    1550nm

  • 频谱范围:

    1100nm ~ 1700nm

  • 二极管类型:

    雪崩

  • 不同 nm 时响应度:

    9.3 A/W @ 1550nm

  • 电流 - 暗(典型值):

    50nA

  • 有效面积:

    80µm

  • 工作温度:

    -20°C ~ 70°C

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    2-SMD

  • 描述:

    INGAAS APD, 80UM, CERAMIC SUBMOU

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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