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UPC8106TB-E3	文件：318.3 Kbytes Page：26 Pages	丝印：C2D；BIPOLAR ANALOG INTEGRATED CIRCUITS FEATURES • Recommended operating frequency : fRFout = 0.4 to 2.0 GHz, fIFin = 100 to 400 MHz • Supply voltage : VCC = 2.7 to 5.5 V • High-density surface mounting : 6-pin super minimold package • Low current consumption : ICC = 9 mA TYP. @ mPC8106TB ICC = 5 mA TYP. @ mPC8109TB • Minimized ca 文件：318.3 Kbytes 页数：26 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
C2D05120A	文件：520.25 Kbytes Page：6 Pages	丝印：C2D05120；Package：TO-220-2；Silicon Carbide Schottky Diode Zero Recovery Rectifier Z-REC™ RECTIFIERS and ZERO-RECOVERY® RECTIFIERS SILICON CARBIDE Z-FET™ MOSFET 文件：520.25 Kbytes 页数：6 Pages	Cree 科锐	Cree
C2D10120A	文件：462.08 Kbytes Page：6 Pages	丝印：C2D10120；Package：TO-220-2；Silicon Carbide Schottky Diode Zero Recovery Rectifier Z-REC™ RECTIFIERS and ZERO-RECOVERY® RECTIFIERS SILICON CARBIDE Z-FET™ MOSFET 文件：462.08 Kbytes 页数：6 Pages	Cree 科锐	Cree
C2D10120D	文件：566.44 Kbytes Page：6 Pages	丝印：C2D10120；Package：TO-247-3；Silicon Carbide Schottky Diode Zero Recovery Rectifier Z-REC™ RECTIFIERS and ZERO-RECOVERY® RECTIFIERS SILICON CARBIDE Z-FET™ MOSFET 文件：566.44 Kbytes 页数：6 Pages	Cree 科锐	Cree
C2D20120D	文件：565.92 Kbytes Page：6 Pages	丝印：C2D20120；Package：TO-247-3；Silicon Carbide Schottky Diode Zero Recovery Rectifier Z-REC™ RECTIFIERS and ZERO-RECOVERY® RECTIFIERS SILICON CARBIDE Z-FET™ MOSFET 文件：565.92 Kbytes 页数：6 Pages	Cree 科锐	Cree
C2D05120E	文件：391.28 Kbytes Page：6 Pages	丝印：C2D05120；Package：TO-252-2；Silicon Carbide Schottky Diode Zero Recovery Rectifier 文件：391.28 Kbytes 页数：6 Pages	Cree 科锐	Cree
C2D05120A	文件：520.25 Kbytes Page：6 Pages	丝印：C2D05120；Package：TO-220-2；Silicon Carbide Schottky Diode Zero Recovery Rectifier Z-REC™ RECTIFIERS and ZERO-RECOVERY® RECTIFIERS SILICON CARBIDE Z-FET™ MOSFET 文件：520.25 Kbytes 页数：6 Pages	Cree 科锐	Cree
C2D10120A	文件：462.08 Kbytes Page：6 Pages	丝印：C2D10120；Package：TO-220-2；Silicon Carbide Schottky Diode Zero Recovery Rectifier Z-REC™ RECTIFIERS and ZERO-RECOVERY® RECTIFIERS SILICON CARBIDE Z-FET™ MOSFET 文件：462.08 Kbytes 页数：6 Pages	Cree 科锐	Cree
C2D10120D	文件：566.44 Kbytes Page：6 Pages	丝印：C2D10120；Package：TO-247-3；Silicon Carbide Schottky Diode Zero Recovery Rectifier Z-REC™ RECTIFIERS and ZERO-RECOVERY® RECTIFIERS SILICON CARBIDE Z-FET™ MOSFET 文件：566.44 Kbytes 页数：6 Pages	Cree 科锐	Cree
C2D20120D	文件：565.92 Kbytes Page：6 Pages	丝印：C2D20120；Package：TO-247-3；Silicon Carbide Schottky Diode Zero Recovery Rectifier Z-REC™ RECTIFIERS and ZERO-RECOVERY® RECTIFIERS SILICON CARBIDE Z-FET™ MOSFET 文件：565.92 Kbytes 页数：6 Pages	Cree 科锐	Cree

详细参数

型号：
C2D
功能描述：
上下转换器 3V Freq Upconverter
RoHS：
否
制造商：
Texas Instruments
产品：
Down Converters
射频：
52 MHz to 78 MHz
中频：
300 MHz
工作电源电压：
1.8 V, 3.3 V
工作电源电流：
120 mA
最大功率耗散：
1 W
最大工作温度：
+ 85 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PQFP-128

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