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CES2336	文件：641.16 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■60V,1.8A,RDS(ON)=250mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=330mΩ@VGS=4.5V. ■HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Ruggedandreliable. ■Leadfreeproductisacquired. ■SOT-23package.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
GDSSF2336	文件：279.57 Kbytes Page：4 Pages	HighPowerandcurrenthandingcapability	Good-Ark GOOD-ARK Electronics	Good-Ark
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更多C2336B供应商更新时间2025-5-21 10:19:00