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C2312	文件：300 bytes Page：1 Pages	小信号MOS	ChipNobo 无边界	ChipNobo
CES2312	文件：281.47 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ■ 20V, 4.5A, RDS(ON) = 33mΩ @VGS = 4.5V. RDS(ON) = 40mΩ @VGS = 2.5V. ■ High dense cell design for extremely low RDS(ON). ■ Rugged and reliable. ■ Lead free product is acquired. ■ SOT-23 package. 文件：281.47 Kbytes 页数：4 Pages	CET 华瑞	CET
CES2312	文件：1.88321 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS • DC/DC Converters • Load Switch for Portable Applications 文件：1.88321 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
CHT2312PT	文件：284.61 Kbytes Page：3 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件：284.61 Kbytes 页数：3 Pages	CHENMKO 力勤	CHENMKO

技术参数

Type：
N-ch MOS
VDS(V)：
20
VGS(V)：
±10
ID(A)：
6.8
VGS(th)(V)：
0.45~1.0
RDS @VGS=4.5VTyp(mΩ )：
16
RDS @VGS=4.5VMax(mΩ )：
20
RDS @VGS=3.3VTyp(mΩ)：
17.2
RDS @VGS=3.3VMax(mΩ)：
22

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市卓越微芯电子有限公司	C2312	MIT	25+	TO220	90	百分百原装正品真实公司现货库存本公司只做原装可	询价
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更多C2312供应商更新时间2026-3-14 13:58:00

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