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CES2312	文件：281.47 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ■ 20V, 4.5A, RDS(ON) = 33mΩ @VGS = 4.5V. RDS(ON) = 40mΩ @VGS = 2.5V. ■ High dense cell design for extremely low RDS(ON). ■ Rugged and reliable. ■ Lead free product is acquired. ■ SOT-23 package. 文件：281.47 Kbytes 页数：4 Pages	CET 华瑞	CET
CES2312	文件：1.88321 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS • DC/DC Converters • Load Switch for Portable Applications 文件：1.88321 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
CES2312	文件：300 bytes Page：1 Pages	N Channel MOSFET	CET 华瑞	CET
CES2312A	文件：300 bytes Page：1 Pages	N Channel MOSFET	CET 华瑞	CET

技术参数

BVDSS(V)：
20
Rds(on)mΩ@4.5V：
33
Rds(on)mΩ@2.5V：
40
ID(A)：
4.5
Qg(nC)@4.5V(typ)：
10
RθJC(℃/W)：
100
Pd(W)：
1.25
Configuration：
Single
Polarity：
N

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市金华微盛电子有限公司	CES2312	CES	19+	SOT-23	12000		询价
中天科工半导体（深圳）有限公司	CES2312	CET/華瑞	25+	SOT-23	33924	CET/華瑞全新特价CES2312即刻询购立享优惠#长期有货	询价
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更多CES2312供应商更新时间2025-10-8 16:04:00

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