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C0603C103J5RAC	文件：423.6 Kbytes Page：14 Pages	Heterojunction Bipolar Transistor Technology (InGaP HBT) 0-6000MHz,19dB18.5dBmInGaPHBTGPA TheMMG3012NT1isageneralpurposeamplifierthatisinternallyinputmatchedandinternallyoutputmatched.ItisdesignedforabroadrangeofClassA,small-signal,highlinearity,generalpurposeapplications.Itissuitableforapplicationswithfreq	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
C0603C103J5RAC	文件：403.12 Kbytes Page：14 Pages	Heterojunction Bipolar Transistor (InGaP HBT) 0--6000MHz,18.5dB15dBmInGaPHBTGPA TheMMG3008NT1isageneralpurposeamplifierthatisinternallyinputandoutputmatched.ItisdesignedforabroadrangeofClassA,small--signal,highlinearity,generalpurposeapplications.Itissuitableforapplicationswithfrequenciesfrom0to	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
C0603C103J5RAC	文件：388.72 Kbytes Page：14 Pages	Heterojunction Bipolar Transistor Technology (InGaP HBT) HeterojunctionBipolarTransistorTechnology(InGaPHBT) BroadbandHighLinearityAmplifier TheMMG3001NT1isageneralpurposeamplifierthatisinternallyinputandoutputmatched.ItisdesignedforabroadrangeofClassA,small-signal,highlinearity,generalpurposeapplications.Itissu	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
C0603C103J5RAC	文件：493.8 Kbytes Page：15 Pages	Heterojunction Bipolar Transistor Technology (InGaP HBT) HeterojunctionBipolarTransistorTechnology(InGaPHBT) BroadbandHighLinearityAmplifier TheMMG3002NT1isageneralpurposeamplifierthatisinternallyinputandoutputmatched.ItisdesignedforabroadrangeofClassA,small-signal,highlinearity,generalpurposeapplications.Itissu	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
C0603C103J5RAC	文件：181.51 Kbytes Page：9 Pages	Gallium Arsenide CATV Integrated Amplifier Module Description •24VdcSupplyor12VdcSupplywithBiasChange,40to870MHz,CATVIntegratedForwardAmplifierModule Features •Specifiedfor79-,112-and132-ChannelLoading •ExcellentDistortionPerformance •Built-inInputDiodeProtection •GaAsFETTransistorTechnology •Unconditi	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
C0603C103J5RAC	文件：640.44 Kbytes Page：17 Pages	Heterojunction Bipolar Transistor Technology (InGaP HBT) HeterojunctionBipolarTransistorTechnology(InGaPHBT) BroadbandHighLinearityAmplifier TheMMG3003NT1isageneralpurposeamplifierthatisinternallyinputmatchedandinternallyoutputprematched.ItisdesignedforabroadrangeofClassA,small-signal,highlinearity,generalpurpose	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
C0603C103J5RAC	文件：389.12 Kbytes Page：14 Pages	Heterojunction Bipolar Transistor Technology (InGaP HBT) 0--6000MHz,15.5dB20.5dBmInGaPHBTGPA TheMMG3015NT1isageneralpurposeamplifierthatisinternallyinputandoutputmatched.ItisdesignedforabroadrangeofClassA,small-signal,highlinearity,generalpurposeapplications.Itissuitableforapplicationswithfrequenciesfrom0t	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
C0603C103J5RAC	文件：916.42 Kbytes Page：21 Pages	RF Power Field Effect Transistors	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
C0603C103J5RAC	文件：39.9 Kbytes Page：2 Pages	CERAMIC CHIP/STANDARD	KEMETKEMET Corporation 基美基美公司	KEMET
C0603C103J5RAC7411	文件：60.34 Kbytes Page：1 Pages	SMD Comm X7R, Ceramic, 0.01 uF, 5, 50 VDC, X7R, SMD, MLCC, Temperature Stable, Class II, 0603	KEMETKEMET Corporation 基美基美公司	KEMET

详细参数

型号：
C0603C103J5R
功能描述：
多层陶瓷电容器MLCC - SMD/SMT 50volts 0.01uF 5% X7R
RoHS：
否
制造商：
American Technical Ceramics(ATC)
电容：
10 pF
容差：
1 %
电压额定值：
250 V
温度系数/代码：
C0G(NP0) 外壳代码 -
in：
0505 外壳代码 -
mm：
1414
工作温度范围：
- 55 C to + 125 C
产品：
Low ESR MLCCs
封装：
Reel

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