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C0603C103J5RAC	文件：423.6 Kbytes Page：14 Pages	Heterojunction Bipolar Transistor Technology (InGaP HBT) 0-6000MHz,19dB18.5dBmInGaPHBTGPA TheMMG3012NT1isageneralpurposeamplifierthatisinternallyinputmatchedandinternallyoutputmatched.ItisdesignedforabroadrangeofClassA,small-signal,highlinearity,generalpurposeapplications.Itissuitableforapplicationswithfreq	ETC	ETC
C0603C103J5RAC	文件：403.12 Kbytes Page：14 Pages	Heterojunction Bipolar Transistor (InGaP HBT) 0--6000MHz,18.5dB15dBmInGaPHBTGPA TheMMG3008NT1isageneralpurposeamplifierthatisinternallyinputandoutputmatched.ItisdesignedforabroadrangeofClassA,small--signal,highlinearity,generalpurposeapplications.Itissuitableforapplicationswithfrequenciesfrom0to	ETC	ETC
C0603C103J5RAC	文件：388.72 Kbytes Page：14 Pages	Heterojunction Bipolar Transistor Technology (InGaP HBT) HeterojunctionBipolarTransistorTechnology(InGaPHBT) BroadbandHighLinearityAmplifier TheMMG3001NT1isageneralpurposeamplifierthatisinternallyinputandoutputmatched.ItisdesignedforabroadrangeofClassA,small-signal,highlinearity,generalpurposeapplications.Itissu	ETC	ETC
C0603C103J5RAC	文件：493.8 Kbytes Page：15 Pages	Heterojunction Bipolar Transistor Technology (InGaP HBT) HeterojunctionBipolarTransistorTechnology(InGaPHBT) BroadbandHighLinearityAmplifier TheMMG3002NT1isageneralpurposeamplifierthatisinternallyinputandoutputmatched.ItisdesignedforabroadrangeofClassA,small-signal,highlinearity,generalpurposeapplications.Itissu	ETC	ETC
C0603C103J5RAC	文件：181.51 Kbytes Page：9 Pages	Gallium Arsenide CATV Integrated Amplifier Module Description •24VdcSupplyor12VdcSupplywithBiasChange,40to870MHz,CATVIntegratedForwardAmplifierModule Features •Specifiedfor79-,112-and132-ChannelLoading •ExcellentDistortionPerformance •Built-inInputDiodeProtection •GaAsFETTransistorTechnology •Unconditi	ETC	ETC
C0603C103J5RAC	文件：640.44 Kbytes Page：17 Pages	Heterojunction Bipolar Transistor Technology (InGaP HBT) HeterojunctionBipolarTransistorTechnology(InGaPHBT) BroadbandHighLinearityAmplifier TheMMG3003NT1isageneralpurposeamplifierthatisinternallyinputmatchedandinternallyoutputprematched.ItisdesignedforabroadrangeofClassA,small-signal,highlinearity,generalpurpose	ETC	ETC
C0603C103J5RAC	文件：389.12 Kbytes Page：14 Pages	Heterojunction Bipolar Transistor Technology (InGaP HBT) 0--6000MHz,15.5dB20.5dBmInGaPHBTGPA TheMMG3015NT1isageneralpurposeamplifierthatisinternallyinputandoutputmatched.ItisdesignedforabroadrangeofClassA,small-signal,highlinearity,generalpurposeapplications.Itissuitableforapplicationswithfrequenciesfrom0t	ETC	ETC
C0603C103J5RAC	文件：916.42 Kbytes Page：21 Pages	RF Power Field Effect Transistors	ETC	ETC
C0603C103J5RAC	文件：39.9 Kbytes Page：2 Pages	CERAMIC CHIP/STANDARD	KEMETKEMET Corporation 基美基美公司	KEMET
C0603C103J5RAC7411	文件：300 bytes Page：1 Pages	Ceramic Capacitors;	KemetKEMET Corporation 基美基美公司	Kemet

技术参数

Capacitance Tolerance：
5%
Voltage DC：
50 VDC
Temperature Range：
-55/+125°C
Temperature Coefficient：
X7R
RoHS：
Yes
Termination：
Tin
Chip Size：
0603
Packaging：
T&R
Packaging Quantity：
15000

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市联世界科技有限公司	C0603C103J5RAC7867	KEMET	24+/25+		15000	原装正品现货库存价优	询价
深圳市利加科技有限公司	C0603C103J5RAC7867	KEMET	16+	NA	8800	原装现货,货真价优	询价
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