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C0603C103J5RAC	文件：353.89 Kbytes Page：23 Pages	InGaP HBT Linear Amplifier 1Generaldescription TheMMZ25333Bisaversatile3−stagepoweramplifiertargetedatdriverandpre−driverapplicationsformacroandmicrobase stationsandfinal−stageapplicationsforsmallcells.Itsversatiledesignallowsoperationinanyfrequencybandfrom1500to 2700MHzprovidingg	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
C0603C103J5RAC	文件：460.82 Kbytes Page：21 Pages	Heterojunction Bipolar Transistor Technology (InGaP HBT) HeterojunctionBipolarTransistorTechnology(InGaPHBT) BroadbandHighLinearityAmplifier TheMMG3004NT1isageneralpurposeamplifierthatisinternallyprematchedanddesignedforabroadrangeofClassA,small--signal,highlinearity,generalpurposeapplications.Itissuitableforappli	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
C0603C103J5RAC	文件：413.92 Kbytes Page：14 Pages	Heterojunction Bipolar Transistor (InGaP HBT) 0--6000MHz,15dB18dBmInGaPHBTGPA TheMMG3009NT1isageneralpurposeamplifierthatisinternallyinputandoutputmatched.ItisdesignedforabroadrangeofClassA,small--signal,highlinearity,generalpurposeapplications.Itissuitableforapplicationswithfrequenciesfrom0to6	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
C0603C103J5RAC	文件：403.42 Kbytes Page：15 Pages	Heterojunction Bipolar Transistor Technology (InGaP HBT) 0--6000MHz,20dB20.5dBmInGaPHBT TheMMG3013NT1isageneralpurposeamplifierthatisinternallyinputmatchedandinternallyoutputmatched.ItisdesignedforabroadrangeofClassA,small--signal,highlinearity,generalpurposeapplications.Itissuitableforapplicationswithfreque	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
C0603C103J5RAC	文件：416.05 Kbytes Page：14 Pages	Heterojunction Bipolar Transistor (InGaP HBT) 0--6000MHz,15dB15dBmInGaPHBTGPA TheMMG3011NT1isageneralpurposeamplifierthatisinternallyinputandoutputmatched.ItisdesignedforabroadrangeofClassA,small--signal,highlinearity,generalpurposeapplications.Itissuitableforapplicationswithfrequenciesfrom0to6	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
C0603C103J5RAC	文件：478.77 Kbytes Page：24 Pages	Heterojunction Bipolar Transistor Technology (InGaP HBT) 400--2400MHz,17.5dB33dBmInGaPHBTGPA TheMMG3006NT1isageneralpurposeamplifierthatisinternallyinputprematchedanddesignedforabroadrangeofClassA,small--signal,highlinearity,generalpurposeapplications.Itissuitableforapplicationswithfrequenciesfrom400to2400M	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
C0603C103J5RAC	文件：456.37 Kbytes Page：20 Pages	Heterojunction Bipolar Transistor Technology (InGaP HBT) HeterojunctionBipolarTransistorTechnology(InGaPHBT) BroadbandHighLinearityAmplifier TheMMG3005NT1isageneralpurposeamplifierthatisinternallyprematchedanddesignedforabroadrangeofClassA,small--signal,highlinearity,generalpurposeapplications.Itissuitableforappli	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
C0603C103J5RAC	文件：364.07 Kbytes Page：15 Pages	Heterojunction Bipolar Transistor (InGaP HBT) 0-6000MHz,15dB17dBmInGaPHBT TheMMG3010NT1isaGeneralPurposeAmplifierthatisinternallyinputandoutputmatched.ItisdesignedforabroadrangeofClassA,small-signal,highlinearity,generalpurposeapplications.Itissuitableforapplicationswithfrequenciesfrom0to6000MH	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
C0603C103J5RAC	文件：438.37 Kbytes Page：14 Pages	Heterojunction Bipolar Transistor (InGaP HBT) 0--6000MHz,19dB16dBmInGaPHBTGPA TheMMG3007NT1isageneralpurposeamplifierthatisinternallyinputandoutputmatched.ItisdesignedforabroadrangeofClassA,small--signal,highlinearity,generalpurposeapplications.Itissuitableforapplicationswithfrequenciesfrom0to6	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp

详细参数

型号：
C0603C103J5R
功能描述：
多层陶瓷电容器MLCC - SMD/SMT 50volts 0.01uF 5% X7R
RoHS：
否
制造商：
American Technical Ceramics(ATC)
电容：
10 pF
容差：
1 %
电压额定值：
250 V
温度系数/代码：
C0G(NP0) 外壳代码 -
in：
0505 外壳代码 -
mm：
1414
工作温度范围：
- 55 C to + 125 C
产品：
Low ESR MLCCs
封装：
Reel

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