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BZX55B10	文件：133.63 Kbytes Page：2 Pages	Silicon Epitaxial Planar Z-Diodes	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
BZX55B10	文件：196.27 Kbytes Page：5 Pages	Zener Diodes	YANGJIEYangzhou yangjie electronic co., ltd 扬州扬杰电子扬州扬杰电子科技股份有限公司	YANGJIE
BZX55B10	文件：103.18 Kbytes Page：7 Pages	Small Signal Zener Diodes	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
BZX55B100	文件：41.96 Kbytes Page：2 Pages	SILICON ZENER DIODES FEATURES: Complete2.0to100Volts Highsurgecurrentcapability Highpeakreversepowerdissipation Highreliability Lowleakagecurrent ZenerVoltagetoleranceis±2 *Pb/RoHSFree	EIC EIC discrete Semiconductors	EIC
BZX55B100	文件：168.81 Kbytes Page：2 Pages	SILICON PLANAR ZENER DIODES SILICONPLANARZENERDIODES	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
BZX55B10V	文件：196.27 Kbytes Page：5 Pages	Zener Diodes	YANGJIEYangzhou yangjie electronic co., ltd 扬州扬杰电子扬州扬杰电子科技股份有限公司	YANGJIE
BZX55B10 A0G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：DO-204AH，DO-35，轴向；包装：带盒（TB）类别：分立半导体产品二极管 - 齐纳 - 单描述：DIODE ZENER 10V 500MW DO35	Taiwan Semiconductor Corporation Taiwan Semiconductor Corporation	Taiwan Semiconductor Corporation
BZX55B10-TAP	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：DO-204AH，DO-35，轴向；包装：剪切带（CT）带盒（TB）类别：分立半导体产品二极管 - 齐纳 - 单描述：DIODE ZENER 10V 500MW DO35	Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
BZX55B10-TR	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：DO-204AH，DO-35，轴向；包装：剪切带（CT）带盒（TB）类别：分立半导体产品二极管 - 齐纳 - 单描述：DIODE ZENER 10V 500MW DO35	Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division	Vishay General Semiconductor - Diodes Division

详细参数

型号：
BZX55B10
功能描述：
稳压二极管 Zener 500mW 10v
RoHS：
否
制造商：
Vishay Semiconductors
齐纳电压：
12 V
电压容差：
5 %
电压温度系数：
0.075 %/K
功率耗散：
3 W
最大反向漏泄电流：
3 uA
最大齐纳阻抗：
7 Ohms
最大工作温度：
+ 150 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
DO-214AC
封装：
Reel

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