BZX55B10分立半导体产品的二极管-齐纳-单规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
BZX55B10 |
| 参数属性 | BZX55B10 封装/外壳为DO-204AH，DO-35，轴向；包装为剪切带（CT）带盒（TB）；类别为分立半导体产品的二极管-齐纳-单；产品描述：DIODE ZENER 10V 500MW DO35 |
| 功能描述 | Silicon Epitaxial Planar Z-Diodes |
| 封装外壳 | DO-204AH，DO-35，轴向 |
| 文件大小 |
133.63 Kbytes |
| 页面数量 |
2 页 |
| 生产厂商 | New Jersey Semi-Conductor Products, Inc. |
| 企业简称 |
NJSEMI【新泽西半导体】 |
| 中文名称 | 新泽西半导体产品股份有限公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-6-13 23:00:00 |
| 人工找货 | BZX55B10价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
产品属性
- 产品编号：
BZX55B10-TAP
- 制造商：
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- 类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 齐纳 - 单
- 系列：
Automotive, AEC-Q101, BZX55
- 包装：
剪切带（CT）带盒（TB）
- 容差：
±2%
- 工作温度：
-65°C ~ 175°C
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
DO-204AH，DO-35，轴向
- 供应商器件封装：
DO-35（DO-204AH）
- 描述：
DIODE ZENER 10V 500MW DO35
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY(威世) |
24+ |
DO35 |
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DO-35 |
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