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BZX55C51	文件：78.83 Kbytes Page：2 Pages	500mWHermeticallySealedGlassZenerVoltageRegulators Features ♦ZenerVoltagerange2.0to75volts ♦DO-35package(JEDEC) ♦Through-holedevicetypemounting ♦Hermeticallysealedglass ♦Compressionbondedconstruction ♦Allexternalsurfacesarecorrosionresistantandleadsarereadilysolderable ♦RoHScompliant ♦Solde	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
BZX55C51	文件：122.09 Kbytes Page：8 Pages	SmallSignalZenerDiodes FEATURES •Verysharpreversecharacteristic •Lowreversecurrentlevel •Veryhighstability •Lownoise •AEC-Q101qualified •Materialcategorization:Fordefinitionsofcompliancepleaseseewww.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS •Voltagestabilization	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
BZX55C51	文件：470.71 Kbytes Page：4 Pages	BZX55CSiliconPlanarZenerDiodes FEATURES ◆TheZenervoltagesaregradedaccordingtotheinternationalE24standard.OthertolerancesandhigherZenervoltagesareuponrequest.	KINGTRONICSKingtronics International Company 金力金力国际公司	KINGTRONICS
BZX55C51	文件：103.56 Kbytes Page：7 Pages	SmallSignalZenerDiodes FEATURES •Verysharpreversecharacteristic •Lowreversecurrentlevel •Veryhighstability •Lownoise •AEC-Q101qualified •Materialcategorization:Fordefinitionsofcompliancepleaseseewww.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS •Voltagestabilization	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
BZX55C51	文件：101.61 Kbytes Page：7 Pages	SmallSignalZenerDiodes FEATURES •Verysharpreversecharacteristic •Lowreversecurrentlevel •Veryhighstability •Lownoise •AEC-Q101qualified •Materialcategorization:Fordefinitionsofcompliancepleaseseewww.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS •Voltagestabilization	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
BZX55C51	文件：104.59 Kbytes Page：4 Pages	SILIICONPLANARZENERDIODES BZX55C2.4Vto120V500mW BestsuitedforIndustrial,MilitaryandSpaceApplications.Theglasspassivateddiodechipinthehermeticallysealedglasspackagewithdoublestudsprovidesexcellentstabilityandreliability.	CDIL Continental Device India Limited	CDIL
BZX55C51	文件：1.12858 Mbytes Page：2 Pages	500mWAxialLeadedSmallSignalZenerDiodes Features ●Verysharpreversecharacteristic ●Lowreversecurrentlevel ●Veryhighstability ●Lownoise ●Availablewithtightertolerances ●Lead(Pb)-freecomponent ●ComponentinaccordancetoRoHS2002/95/ECandWEEE2002/96/EC	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司	SUNMATE
BZX55C51	文件：695.33 Kbytes Page：3 Pages	Lowzenerimpedance ZenerVoltage:2.4-180VPeakPulsePower:500mW FEATURE •Lowzenerimpedance •Lowregulationfactor •Glasspassivatedjunction •Hightemperaturesolderingguaranteed:260°C/10S/9.5mmleadlengthat5lbstension	CHENDAMicrodiode Electronics (Jiangsu) Co.,Ltd. 深圳辰达半导体深圳辰达半导体有限公司	CHENDA
BZX55C51	文件：112.03 Kbytes Page：8 Pages	ZenerDiode Zenerdiode Features Highreliability Applications Voltagestabilization Construction Siliconepitaxialplanar	FORMOSAFormosa MS 美丽微半导体美丽微半导体股份有限公司	FORMOSA
BZX55C51	文件：1.50464 Mbytes Page：6 Pages	DO-35Glass-EncapsulateDiodes ZenerDiodes Features ●Pd0.5W ●Vz2.4V-75V Applications ●StabilizingVoltage	HDSEMIJiangsu High diode Semiconductor Co., Ltd 苏海德半导体苏海德半导体有限公司	HDSEMI
BZX55C51	文件：48.06 Kbytes Page：3 Pages	500mWZENERDIODE 500mWZENERDIODE Features •VerySharpReverseCharacteristic •LowReverseCurrentLevel •VeryHighStability •LowNoise	ZSELECZibo Seno Electronic Engineering Co.,Ltd 淄博圣诺电子淄博圣诺电子工程有限公司	ZSELEC
BZX55C51	文件：196.27 Kbytes Page：5 Pages	ZenerDiodes	YANGJIEYangzhou yangjie electronic co., ltd 扬州扬杰电子扬州扬杰电子科技股份有限公司	YANGJIE
BZX55C51	文件：169.21 Kbytes Page：2 Pages	SILICONPLANARZENERDIODES SILICONPLANARZENERDIODES	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
BZX55C51	文件：195.51 Kbytes Page：5 Pages	ZenerDiodes ■Features ●Ptot500mW ●Vz2.4V-75V ■Applications ●StabilizingVoltage	YANGJIEYangzhou yangjie electronic co., ltd 扬州扬杰电子扬州扬杰电子科技股份有限公司	YANGJIE
BZX55C51	文件：146.16 Kbytes Page：3 Pages	SILICONPLANARZENERDIODES Features SiliconPlanarZenerDiodes TheZenervoltagesaregradedaccordingtotheinternational E24standard.OthervoltagetolerancesandhigherZener voltagesonrequest.	Good-Ark GOOD-ARK Electronics	Good-Ark
BZX55C51	文件：168.22 Kbytes Page：3 Pages	500mWZENERDIODE Features •VerySharpReverseCharacteristic •LowReverseCurrentLevel •VeryHighStability •LowNoise	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
BZX55C51	文件：28.08 Kbytes Page：2 Pages	SILICONZENERDIODES VZ:2.4-200Volts PD:500mW FEATURES: Complete2.4to200Volts Highsurgecurrentcapability Highpeakreversepowerdissipation Highreliability *Lowleakagecurrent	EIC EIC discrete Semiconductors	EIC
BZX55C51	文件：19.53 Kbytes Page：2 Pages	VOLTAGEREGULATORDIODEINACERAMICSURFACEMOUNTPACKAGEFORHI.RELAPPLICATIONS	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
BZX55C51	文件：70.93 Kbytes Page：6 Pages	SiliconEpitaxialPlanarZ-Diodes FEATURES •Verysharpreversecharacteristic •Lowreversecurrentlevel •Veryhighstability •Lownoise •AEC-Q101qualified •ComplianttoRoHSDirective2002/95/ECandin accordancetoWEEE2002/96/EC •Halogen-freeaccordingtoIEC61249-2-21definition APPLICATIONS •Voltagest	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
BZX55C51	文件：40.33 Kbytes Page：2 Pages	VOLTAGEREGULATORDIODEINACERAMICSURFACEMOUNTPACKAGEFORHI?밨ELAPPLICATIONS	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB

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更多BZV55C51-TP供应商更新时间2024-9-23 11:09:00

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