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BZT52C9V1T

200 mW Zener Diode 2.4 to 39 Volts

Features •PlanarDieConstruction •200mWPowerDissipation •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •MoistureSensitivityLevel1 •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignatesRoHSCompliant.Seeorderinginformation) •Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffi

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半导体股份有限公司

BZT52C9V1T

Marking:Z8;Package:SOD-523;ZENER DIODE

FEATURES PlanarDieConstruction 150mWPowerDissipation ZenerVoltagesfrom2.4–43V

SYChangzhou Shunye Electronics Co.,Ltd.

顺烨电子江苏顺烨电子有限公司

BZT52C9V1T

SURFACE MOUNT ZENER DIODE

Features ●Small,LowProfileSurfaceMountPackage ●FlatLeadPackageDesignforLowProfileandHighPower Dissipation ●TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) ●HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) ●QualifiedtoAEC-Q101StandardsforHighReliab

DIODESDiodes Incorporated

美台半导体

BZT52C9V1T

Surface Mount Zener Diodes

Features ●PlanarDieConstruction ●Ultra-SmallSurfaceMountPackage ●IdeallySuitedforAutomatedAssemblyProcesses

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信电子广东科信实业有限公司

BZT52C9V1T

SURFACE MOUNT ZENER DIODE

DIODESDiodes Incorporated

美台半导体

BZT52C9V1T-7

SURFACE MOUNT ZENER DIODE

Features ●Small,LowProfileSurfaceMountPackage ●FlatLeadPackageDesignforLowProfileandHighPower Dissipation ●TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) ●HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) ●QualifiedtoAEC-Q101StandardsforHighReliab

DIODESDiodes Incorporated

美台半导体

BZT52C9V1T-7

Package:SC-79,SOD-523;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 二极管 - 齐纳 - 单 描述:DIODE ZENER 9.1V 300MW SOD523

PAMDiodes Incorporated

龙鼎微龙鼎微电子(上海)有限公司

BZT52C9V1TQ-7-F

Package:SC-79,SOD-523;包装:卷带(TR) 类别:分立半导体产品 二极管 - 齐纳 - 单 描述:DIODE ZENER 9.1V SOD523 T\u0026R 3K

PAMDiodes Incorporated

龙鼎微龙鼎微电子(上海)有限公司

BZT52C9V1T-TP

Package:SC-79,SOD-523;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 二极管 - 齐纳 - 单 描述:DIODE ZENER 9.1V 100MW SOD523

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半导体股份有限公司

详细参数

  • 型号:

    BZT52C9V1T

  • 功能描述:

    稳压二极管 150MW 9.1V

  • RoHS:

  • 制造商:

    Vishay Semiconductors

  • 齐纳电压:

    12 V

  • 电压容差:

    5 %

  • 电压温度系数:

    0.075 %/K

  • 功率耗散:

    3 W

  • 最大反向漏泄电流:

    3 uA

  • 最大齐纳阻抗:

    7 Ohms

  • 最大工作温度:

    + 150 C

  • 安装风格:

    SMD/SMT

  • 封装/箱体:

    DO-214AC

  • 封装:

    Reel

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更多BZT52C9V1T供应商 更新时间2025-7-22 11:06:00