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CZRQR52C8V2-HF	文件：161.47 Kbytes Page：6 Pages	SMDZenerDiode Voltage2to39Volts Power125mWatts RoHSDevice HalogenFree Features -125mWPowerDissipation. -HighVoltagesfrom2~39V. -Designedformountingonsmallsurface. -Extremelythin/leadlesspackage. -Pbfreeproduct. Mechanicaldata -Case:0402/SOD-923FstandardpackageMolde	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
CZRU52C8V2	文件：60.55 Kbytes Page：4 Pages	SMDZenerDiode Voltage2to39Volts Power150mWatts Features 150mWPowerDissipation. HighVoltagesfrom2~39V. Designedformountingonsmallsurface. Extremelythin/leadlesspackage. Pbfreeproduct. Mechanicaldata Case:0603(1608)StandardpackageMoldedplastic. Terminals:	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
CZRU52C8V2-HF	文件：270.89 Kbytes Page：6 Pages	SMDZenerDiode Voltage2to39Volts Power150mWatts RoHSDevice HalogenFree Features -150mWPowerDissipation. -HighVoltagesfrom2~39V. -Designedformountingonsmallsurface. -Extremelythin/leadlesspackage. -Pbfreeproduct. Mechanicaldata -Case:0603/SOD-523FStandardpackageMolde	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
CZRUR52C8V2-HF	文件：161.53 Kbytes Page：6 Pages	SMDZenerDiode Voltage2to39Volts Power150mWatts RoHSDevice HalogenFree Features -150mWPowerDissipation. -HighVoltagesfrom2~39V. -Designedformountingonsmallsurface. -Extremelythin/leadlesspackage. -Pbfreeproduct. Mechanicaldata -Case:0603/SOD-523FStandardpackageMolde	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
DW52C8V2	文件：329.03 Kbytes Page：3 Pages	100mW,WBFBP-02CPlastic-EncapsulateZenerDiodes	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
DW52C8V2	文件：393.72 Kbytes Page：3 Pages	Plastic-EncapsulateZenerDiodes	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
LZ52C8V2W	文件：427.4 Kbytes Page：5 Pages	SURFACEMOUNTZENERDIODE FEATURES •Forsurfacemountedapplication •Siliconepitaxialplanardiode •Ultrasmallsurfacemountpackage •Lowleakagecurrent •2tolerancedeviceofVz •Lead-FreeFinish;RoHSCompliant(Notes1&2) •HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3)	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
TSZL52C8V2	文件：77.51 Kbytes Page：4 Pages	200mWSMDZenerDiode Features ◇200mWPowerdissipation. ◇Highvoltagesfrom2~39V ◇Designedformountingonsmallsurface ◇Extremelythin/leadlesspackage ◇Pbfreeproduct MechanicalData ◇Cases:1005standardpackage, moldedplastic ◇Terminals:Goldplated,solderableper ◇MIL-STD-750,method2	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
TSZL52C8V2	文件：144.54 Kbytes Page：6 Pages	SMDZenerDiode	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC

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