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BUZ73AH	文件：332.95 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 5.5A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 200V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.6Ω(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, 文件：332.95 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
BUZ73AL	文件：332.95 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 5.5A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 200V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.6Ω(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, 文件：332.95 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
BUZ73AL	文件：176.53 Kbytes Page：9 Pages	SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated Logic Level) SIPMOS® Power Transistor • N channel • Enhancement mode • Avalanche-rated • Logic Level 文件：176.53 Kbytes 页数：9 Pages	SIEMENS 西门子	SIEMENS
BUZ73AL	文件：83.26 Kbytes Page：8 Pages	SIPMOS Power Transistor SIPMOS® Power Transistor • N channel • Enhancement mode • Avalanche-rated • Logic Level 文件：83.26 Kbytes 页数：8 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
BUZ73ALH	文件：1.65971 Mbytes Page：10 Pages	SIPMOS Power Transistor SIPMOS ® Power Transistor • N channel • Enhancement mode • Avalanche-rated • Logic Level • Pb-free lead plating; RoHS compliant • Halogen-free according to IEC61249-2-21 文件：1.65971 Mbytes 页数：10 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
BUZ73H	文件：1.65521 Mbytes Page：10 Pages	SIPMOS Power Transistor SIPMOS® Power Transistor • N channel • Enhancement mode • Avalanche-rated • Pb-free lead plating; RoHS compliant • Halogen-free according to IEC61249-2-21 文件：1.65521 Mbytes 页数：10 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
BUZ73H	文件：333.02 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 7.0A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 200V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.4Ω(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, 文件：333.02 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
BUZ73L	文件：85.85 Kbytes Page：8 Pages	SIPMOS Power Transistor SIPMOS® Power Transistor • N channel • Enhancement mode • Avalanche-rated • Logic Level 文件：85.85 Kbytes 页数：8 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
BUZ73L	文件：181.56 Kbytes Page：9 Pages	SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated Logic Level) SIPMOS® Power Transistor • N channel • Enhancement mode • Avalanche-rated • Logic Level 文件：181.56 Kbytes 页数：9 Pages	SIEMENS 西门子	SIEMENS
BUZ73L	文件：333.03 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 7.0A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 200V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.4Ω(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, 文件：333.03 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC

详细参数

型号：
BUZ73
功能描述：
MOSFET N-CH 200V 7A
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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