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BVSS84LT1G	文件：110.94 Kbytes Page：4 Pages	Power MOSFET Single P-Channel 文件：110.94 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BVSS84LT1G	文件：105.8 Kbytes Page：4 Pages	Power MOSFET Single P-Channel SOT-23 -50 V, 10 文件：105.8 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BVSS84LT1G	文件：190.98 Kbytes Page：5 Pages	MOSFET - Power, Single P-Channel, SOT-23 -50 V, 10 文件：190.98 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
LBSS84LT1	文件：182.51 Kbytes Page：4 Pages	Power MOSFET 130m Amps, 50 Volts (P-Channel SOT -23) 文件：182.51 Kbytes 页数：4 Pages	LRC 乐山无线电	LRC
LBSS84LT1G	文件：313.77 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET F30 mAmps, 50 Volts Power MOSFET F30 mAmps, 50 Volts P–Channel SOT–23 These miniature surface mount MOSFETs reduce power loss conserve energy, making this device ideal for use in small power management circuitry. Typical applications are dc–dc converters, load switching, power management in portable and battery–pow 文件：313.77 Kbytes 页数：6 Pages	LRC 乐山无线电	LRC
LBSS84LT1G	文件：1.7784 Mbytes Page：7 Pages	P-Channel 60 V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFET • High-Side Switching • Low On-Resistance: 3  • Low Threshold: - 2 V (typ.) • Fast Swtiching Speed: 20 ns (typ.) • Low Input Capacitance: 20 pF (typ.) • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 文件：1.7784 Mbytes 页数：7 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI

详细参数

型号：
BVSS84LT1G
功能描述：
MOSFET P-CH 50V 130MA SOT-23-3
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
-
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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更多BVSS84LT1G供应商更新时间2025-12-12 9:11:00

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