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BUZ310	文件：333.1 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 2.5A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 1000V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 5Ω(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, 文件：333.1 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
BUZ310	文件：240.01 Kbytes Page：9 Pages	SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode) SIPMOS ® Power Transistor • N channel • Enhancement mode 文件：240.01 Kbytes 页数：9 Pages	SIEMENS 西门子	SIEMENS
BUZ310	文件：300 bytes Page：1 Pages	SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode)	Infineon 英飞凌	Infineon
BX310	文件：109.99 Kbytes Page：3 Pages	SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER 文件：109.99 Kbytes 页数：3 Pages	PANJIT 強茂	PANJIT
BX310	文件：379.28 Kbytes Page：2 Pages	3A 100V Schottky diode 文件：379.28 Kbytes 页数：2 Pages	SUNMATE 森美特 PDF上传者：深圳冠荣电子有限公司	SUNMATE
BX310	文件：1.2859 Mbytes Page：2 Pages	SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER 文件：1.2859 Mbytes 页数：2 Pages	TAYCHIPST 泰迪斯电子	TAYCHIPST

更多BUZ310供应商更新时间2025-12-24 19:09:00