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BUZ31 E3046中文资料MOSFET N-CH 200V 14.5A TO262-3数据手册Infineon规格书

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厂商型号

BUZ31 E3046

功能描述

MOSFET N-CH 200V 14.5A TO262-3

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-9-23 10:20:00

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技术参数

  • 型号:

    BUZ31 E3046

  • 功能描述:

    MOSFET N-KANAL POWER MOS

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
INFINEON
24+
TO-218
5000
只做原装公司现货
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ST/英飞凌
24+
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7000
只做原装正品现货 欢迎来电查询15919825718
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10000
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TO-218
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