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BUZ30A中文资料SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated)数据手册Infineon规格书

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厂商型号

BUZ30A

功能描述

SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated)

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-9-23 10:33:00

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技术参数

  • 型号:

    BUZ30A

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 200V 21A

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Infineon
2025+
TO-220
5425
全新原厂原装产品、公司现货销售
询价
英飞菱
23+
TO-220
4810
正品原装货价格低
询价
Infineon Technologies
22+
TO2203
9000
原厂渠道,现货配单
询价
INFINEON
24+
0123
8500
原厂原包原装公司现货,假一赔十,低价出售
询价
INFINEON
25+
TO-220
4500
全新原装、诚信经营、公司现货销售
询价
Infineon
1931+
N/A
493
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INFINEON
13+PBF
TO-263
1000
优势
询价
Infineon
22+
NA
2118
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Infineon(英飞凌)
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标准封装
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Infineon
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