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BUZ21	文件：90.36 Kbytes Page：8 Pages	SIPMOS Power Transistor SIPMOS ® Power Transistor • N channel • Enhancement mode • Avalanche-rated 文件：90.36 Kbytes 页数：8 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
BUZ21	文件：46.52 Kbytes Page：6 Pages	19A, 100V, 0.100 Ohm, N-Channel Power MOSFET This is an N-Channel enhancement mode silicon gate power field effect transistor designed for applications such as switching regulators, switching converters, motor drivers, relay drivers, and drivers for high power bipolar switching transistors requiring high speed and low gate drive power. This 文件：46.52 Kbytes 页数：6 Pages	INTERSIL	INTERSIL
BUZ21	文件：66.52 Kbytes Page：2 Pages	Nanosecond Switching Speeds DESCRIPTION • 19A, 100V • RDS(ON) = 0.1Ω • SOA is Power Dissipation Limited • Nanosecond Switching Speeds • Linear Transfer Characteristics • High Input Impedance • Majority Carrier Device • Related Literature APPLICATIONS • This is an N-Channel enhancement mode silicon gate power fi 文件：66.52 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
BUZ21	文件：65.99 Kbytes Page：8 Pages	SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated) SIPMOS ® Power Transistor • N channel • Enhancement mode • Avalanche-rated 文件：65.99 Kbytes 页数：8 Pages	SIEMENS 西门子	SIEMENS
BUZ211	文件：301.67 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES · Drain Current -ID= 9A@ TC=25℃ · Drain Source Voltage -VDSS= 500V(Min) · Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.8Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION · Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：301.67 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
BUZ213	文件：180.71 Kbytes Page：6 Pages	main ratings 文件：180.71 Kbytes 页数：6 Pages	SIEMENS 西门子	SIEMENS
BUZ214	文件：181.33 Kbytes Page：6 Pages	main ratings 文件：181.33 Kbytes 页数：6 Pages	SIEMENS 西门子	SIEMENS
BUZ215	文件：120.24 Kbytes Page：9 Pages	SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode FREDFET) SIPMOS ® Power Transistor • N channel • Enhancement mode • FREDFET 文件：120.24 Kbytes 页数：9 Pages	SIEMENS 西门子	SIEMENS
BUZ215	文件：65.64 Kbytes Page：2 Pages	Easy driver for cost effective application DESCRIPTION • High speed switching • Low RDS(ON) • Easy driver for cost effective application APPLICATIONS • Automotive power actuator drivers • Motor controls • DC-DC converters 文件：65.64 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
BUZ216	文件：65.65 Kbytes Page：2 Pages	Easy driver for cost effective application DESCRIPTION • High speed switching • Low RDS(ON) • Easy driver for cost effective application APPLICATIONS • Automotive power actuator drivers • Motor controls • DC-DC converters 文件：65.65 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC

技术参数

Maximum Drain Source Voltage：
100V
Maximum Continuous Drain Current：
21A
Configuration：
Single
Channel Type：
N
Channel Mode：
Enhancement
Category：
Power MOSFET
Minimum Operating Temperature：
-55°C
Maximum Power Dissipation：
75000mW
Maximum Operating Temperature：
150°C
Maximum Gate Source Voltage：
±20V

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