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BUV26数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF

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厂商型号

BUV26

参数属性

BUV26 封装/外壳为TO-220-3;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 90V 10A TO220

功能描述

BUV26: 20 A, 90 V NPN Bipolar Power Transistor

封装外壳

TO-220-3

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-9 11:32:00

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BUV26规格书详情

描述 Description

This is a 90 V NPN silicon power transistor designed for high-speed applications.

特性 Features

Pb-Free Package is Available

应用 Application

Switchmode Power SuppliesHigh Frequency ConvertersRelay DriversDriver

技术参数

  • 制造商编号

    :BUV26

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Compliance

    :Pb-free

  • Status

    : Active  

  • Description

    : 20 A

  • Polarity

    :NPN

  • Type

    :General Purpose

  • VCE(sat) Max (V)

    :Condition: IC = 12 A

  • IC Cont. (A)

    :20

  • VCEO Min (V)

    :90

  • VCBO (V)

    :180

  • VEBO (V)

    :7

  • VBE(sat) (V)

    :2

  • VBE(on) (V)

    :-

  • hFE Min

    :-

  • hFE Max

    :-

  • fT Min (MHz)

    :-

  • PTM Max (W)

    :85

  • Package Type

    :TO-220-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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