BUV21中文资料40 A, 200V NPN Bipolar Power Transistor数据手册ONSEMI规格书

描述 Description

The 40 A, 200 V NPN Bipolar Power Transistor is designed for high speed, high current and high power applications.

特性 Features

• High DC current gain: hFE min. = 20 at IC = 12 A
• Low VCE(sat), VCE(sat) max. = 0.6 V at IC = 8 A
• Very fast switching times: TF max. = 0.4 µs at IC=25A
• Pb-Free Package is Available

简介

BUV21属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由ONSEMI制造生产的BUV21晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。