BUV21数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF
| 厂商型号 |
BUV21 |
| 参数属性 | BUV21 封装/外壳为TO-204AE；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS NPN 200V 40A TO204 |
| 功能描述 | 40 A, 200V NPN Bipolar Power Transistor |
| 封装外壳 | TO-204AE |
| 制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
| 中文名称 | 安森美半导体 安森美半导体公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-9 12:00:00 |
| 人工找货 | BUV21价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
BUV21规格书详情
描述 Description
The 40 A, 200 V NPN Bipolar Power Transistor is designed for high speed, high current and high power applications.
特性 Features
• High DC current gain: hFE min. = 20 at IC = 12 A
• Low VCE(sat), VCE(sat) max. = 0.6 V at IC = 8 A
• Very fast switching times: TF max. = 0.4 µs at IC=25A
• Pb-Free Package is Available
简介
BUV21属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由制造生产的BUV21晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 制造商编号
：BUV21
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Status
：Active
- Polarity
：NPN
- Type
：General Purpose
- VCE(sat) Max (V)
：0.6
- IC Cont. (A)
：40
- VCEO Min (V)
：200
- VCBO (V)
：250
- VEBO (V)
：7
- VBE(sat) (V)
：1.5
- VBE(on) (V)
：-
- hFE Min
：20
- hFE Max
：60
- fT Min (MHz)
：8
- PTM Max (W)
：250
- Package Type
：TO-204-2/TO-3-2
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
2511 |
TO-3 |
16900 |
电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价 |
询价 | ||
ST |
20+ |
TO-3 |
35830 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
询价 | ||
ST |
21+ |
TO-3 |
12588 |
原装正品,自己库存 假一罚十 |
询价 | ||
ON/安森美 |
23+ |
TO-3 |
10000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
ON/安森美 |
2447 |
SMD |
100500 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
询价 | ||
ON |
22+ |
TO-220-3 |
50000 |
ON二三极管全系列在售 |
询价 | ||
MOT/ST |
23+ |
TO-3 |
7300 |
专注配单,只做原装进口现货 |
询价 | ||
24+ |
TO-3 |
10000 |
询价 | ||||
23+ |
20000 |
正品原装货价格低 |
询价 |
