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BUV26	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 90V 10A TO220	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
BUV26A	文件：91.72 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·WithTO-220Cpackage ·Lowcollectorsaturationvoltage ·Fastswitchingspeed APPLICATIONS ·Foruseinhighfrequencyandefficiencyconverters,switchingregulatorsandmotorcontrol	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
BUV26A	文件：131.1 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·WithTO-220Cpackage ·Lowcollectorsaturationvoltage ·Fastswitchingspeed APPLICATIONS ·Foruseinhighfrequencyandefficiencyconverters,switchingregulatorsandmotorcontrol	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
BUV26A	文件：95.23 Kbytes Page：3 Pages	SILICON POWER TRANSISTORS High-speed,NPNpowertransistorsinaTO-220envelope.Theyareintendedforfastswitchingapplicationssuchashighfrequencyandefficiencyconverters,switchingregulatorsandmotorcontrol. CompliancetoRoHS.	COMSET Comset Semiconductor	COMSET
BUV26AF	文件：112.95 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION •Collector-EmitterSustainingVoltage- :VCEO(SUS)=90V(Min)-BUV26F 100V(Min)-BUV26AF •HighSwitchingSpeed APPLICATIONS •Designedforfastswitchingapplicationssuchashigh frequencyandefficiencyconverters,switchingregulators	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
BUV26F	文件：112.95 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION •Collector-EmitterSustainingVoltage- :VCEO(SUS)=90V(Min)-BUV26F 100V(Min)-BUV26AF •HighSwitchingSpeed APPLICATIONS •Designedforfastswitchingapplicationssuchashigh frequencyandefficiencyconverters,switchingregulators	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
BUV26G	文件：46.07 Kbytes Page：3 Pages	Switchmode Series NPN Silicon Power Transistor SwitchmodeSeriesNPNSiliconPowerTransistor Designedforhigh−speedapplications. Features •SwitchmodePowerSupplies •HighFrequencyConverters •RelayDrivers •Driver •Pb−FreePackageisAvailable*	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BUV26G	文件：258.459 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION •Collector-EmitterSustainingVoltage- :VCEO(SUS)=90V(Min) •HighSwitchingSpeed •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformance andreliableoperation APPLICATIONS •Designedforfastswitchingapplicationssuchashigh frequencyandefficiencyconv	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
BUV26_03	文件：57.9 Kbytes Page：4 Pages	MEDIUM POWER NPN SILICON TRANSISTOR	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
BUV26_11	文件：87.82 Kbytes Page：3 Pages	Switchmode Series NPN Silicon Power Transistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

产品属性

产品编号：
BUV26
制造商：
STMicroelectronics
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1.5V @ 1.2A，12A
工作温度：
175°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3
供应商器件封装：
TO-220
描述：
TRANS NPN 90V 10A TO220

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