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BUV26G分立半导体产品晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

BUV26G
厂商型号

BUV26G

参数属性

BUV26G 封装/外壳为TO-220-3;包装为托盘;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个;产品描述:TRANS NPN 90V 20A TO220

功能描述

Switchmode Series NPN Silicon Power Transistor
TRANS NPN 90V 20A TO220

文件大小

46.07 Kbytes

页面数量

3

生产厂商 ON Semiconductor
企业简称

ONSEMI安森美半导体

中文名称

安森美半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-5-17 18:22:00

BUV26G规格书详情

Switchmode Series NPN Silicon Power Transistor

Designed for high−speed applications.

Features

• Switchmode Power Supplies

• High Frequency Converters

• Relay Drivers

• Driver

• Pb−Free Package is Available*

BUV26G属于分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个。安森美半导体公司制造生产的BUV26G晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

产品属性

  • 产品编号:

    BUV26G

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    托盘

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    1.5V @ 1.2A,12A

  • 工作温度:

    -65°C ~ 175°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3

  • 供应商器件封装:

    TO-220

  • 描述:

    TRANS NPN 90V 20A TO220

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