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BUT12	文件：300 bytes Page：1 Pages	High Voltage Power Switching Applications	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BUT12AF	文件：300 bytes Page：1 Pages	SILICON DIFFUSED POWER TRANSISTOR(GENERAL DESCRIPTION)	Wing Shing Computer 永盛电子	Wing Shing Computer
BUT12AI	文件：300 bytes Page：1 Pages	Silicon Diffused Power Transistor	恩XP	恩XP
BUT12A	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 450V 8A TO220-3	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BUT12ATU	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 450V 8A TO220-3	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BUT12TU	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 400V 8A TO220-3	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Configuration：
Single
Material：
Si
Maximum Collector Base Voltage：
1000V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage：
1.5@1.2A@6AV
Maximum Collector Emitter Voltage：
450V
Maximum DC Collector Current：
8A
Maximum Operating Temperature：
150°C
Maximum Power Dissipation：
100000mW
Type：
NPN

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多BUT12供应商更新时间2026-1-17 13:18:00

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