| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市明嘉莱科技有限公司3年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO 220 |
155668 |
24+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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瀚佳科技(深圳)有限公司4年
留言
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PHILIPSTO220 |
65200 |
21+ |
一级代理/放心采购 |
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深圳市威雅利发展有限公司5年
留言
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FAIRCHILDTO220 |
1000 |
11+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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深圳市富利微电子科技有限公司8年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-220 |
30000 |
23+ |
公司新到进口原装现货假一赔十 |
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深圳好佳好科技有限公司13年
留言
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PHTO-220 |
12000 |
1305+ |
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深圳市鼎盛源芯科技有限公司6年
留言
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Fairchild原厂封装 |
10000 |
16+ |
全新原装正品,代理优势渠道供应,欢迎来电咨询 |
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深圳市振宏微科技有限公司8年
留言
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PHILTO-220 |
5000 |
23+ |
专做原装正品,假一罚百! |
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深圳市科恒伟业电子有限公司10年
留言
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PHLTO-220 |
8529 |
1738+ |
科恒伟业!只做原装正品,假一赔十! |
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深圳市博浩通科技有限公司14年
留言
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PHTO-220 |
3561 |
23+ |
全新原装现货 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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PHILIPS/飞利浦NA/ |
2100 |
23+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市跃创芯科技有限公司3年
留言
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PHILIPS/飞利浦TO-220 |
25000 |
22+ |
只做原装进口现货,专注配单 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司9年
留言
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PHILIPS/飞利浦TO-220 |
9851 |
2048+ |
只做原装正品现货!或订货假一赔十! |
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深圳市东来宝电子科技有限公司12年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-220 |
60620 |
22+ |
2400 |
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深圳市特顺芯科技有限公司15年
留言
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8866 |
08+(pbfree) |
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深圳市美思瑞电子科技有限公司11年
留言
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PHILIPS/飞利浦TO220 |
12245 |
22+ |
现货,原厂原装假一罚十! |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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PHITO-220 |
562000 |
2320+ |
16年只做原装原标渠道现货终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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PHILIPS/飞利浦TO220F |
265209 |
假一罚十原包原标签常备现货! |
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深圳市浩宇伟业电子有限公司12年
留言
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FAIRCHILD |
35000 |
22+ |
OEM工厂,中国区10年优质供应商! |
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深圳宇航军工半导体有限公司11年
留言
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NA |
66951 |
19+ |
原厂代理渠道,每一颗芯片都可追溯原厂； |
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深圳市向鸿伟业电子有限公司12年
留言
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PHILIPSTO220 |
50 |
0118+ |
BUT12A采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
BUT12A图片
BUT12A中文资料Alldatasheet PDF
更多BUT12A功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Sil Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BUT12A/B功能描述:TRANSISTOR HOCHSPANNUNG BIPOLAR
BUT12AF制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:Silicon diffused power transistors
BUT12AI制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:Silicon Diffused Power Transistor
BUT12AI,127功能描述:两极晶体管 - BJT BUT12AI/SOT78/RAILH// RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BUT12ATU功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Si Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BUT12AX制造商:ISC 制造商全称:Inchange Semiconductor Company Limited 功能描述:Silicon NPN Power Transistors
BUT12AX,127功能描述:两极晶体管 - BJT BUT12AX/SOT186A/RAILH// RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
产品属性
- 产品编号：
BUT12A
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
散装
- 晶体管类型：
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1.5V @ 1.2A，6A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
1mA
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3
- 供应商器件封装：
TO-220-3
- 描述：
TRANS NPN 450V 8A TO220-3
