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BULB742C分立半导体产品晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

BULB742C
厂商型号

BULB742C

参数属性

BULB742C 封装/外壳为TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个;产品描述:TRANS NPN 400V 4A I2PAK

功能描述

High voltage fast-switching NPN power transistor
TRANS NPN 400V 4A I2PAK

文件大小

286.44 Kbytes

页面数量

12

生产厂商 STMicroelectronics
企业简称

STMICROELECTRONICS意法半导体

中文名称

意法半导体(ST)集团官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-18 17:50:00

BULB742C规格书详情

BULB742C属于分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个。意法半导体(ST)集团制造生产的BULB742C晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

产品属性

  • 产品编号:

    BULB742C-1

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    1.5V @ 1A,3.5A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    250µA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    25 @ 800mA,3V

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA

  • 供应商器件封装:

    I2PAK(TO-262)

  • 描述:

    TRANS NPN 400V 4A I2PAK

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