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BUL128D-B	文件：72.78 Kbytes Page：7 Pages	HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR DESCRIPTION The device is manufactured using high voltage Multi Epitaxial Planar technology for high switching speeds and medium voltage capability. It uses a Cellular Emitter structure with planar edge termination to enhance switching speeds while maintaining the wide RBSOA. The device is desi 文件：72.78 Kbytes 页数：7 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
BUL128D-B	文件：228.24 Kbytes Page：8 Pages	HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR 文件：228.24 Kbytes 页数：8 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
BUL128D-B_05	文件：228.24 Kbytes Page：8 Pages	HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR 文件：228.24 Kbytes 页数：8 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
BUL128D-B	文件：300 bytes Page：1 Pages	高压快速切换NPN功率晶体管 The device is manufactured using high voltage Multi Epitaxial Planar technology for high switching speeds and medium voltage capability. It uses a Cellular Emitter structure with planar edge termination to enhance switching speeds while maintaining the wide RBSOA. \n\n The device is designed for use • INTEGRATED ANTIPARALLEL COLLECTOR- EMITTER DIODE \n• VERY HIGH SWITCHING SPEED \n• STMicroelectronics PREFERRED SALES TYPE \n• HIGH VOLTAGE CAPABILITY \n• NPN TRANSISTOR \n• MINIMUM LOT-TO-LOT SPREAD FOR RELIABLE OPERATION \n• LOW SPREAD OF DYNAMIC PARAMETERS;	ST 意法半导体	ST
BUL128D-B	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 400V 4A TO220	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS

产品属性

产品编号：
BUL128D-B
制造商：
STMicroelectronics
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
500mV @ 1A，4A
电流 - 集电极截止（最大值）：
250µA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
12 @ 2A，5V
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3
供应商器件封装：
TO-220
描述：
TRANS NPN 400V 4A TO220

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更多BUL128D-B供应商更新时间2026-4-18 14:14:00

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