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BUK9J0R9-40H	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-channel 40 V, 0.9 mΩ logic level MOSFET in LFPAK56E Automotive qualified N-channel MOSFET using the latest Trench 9 low ohmic superjunction technology, housed in an enhanced LFPAK56E package. This product has been fully designed and qualified to meet AEC-Q101 requirements delivering high performance and endurance. • Fully automotive qualified to AEC-Q101:• 175 °C rating suitable for thermally demanding environments\n\n• Trench 9 Superjunction technology:• Reduced cell pitch enables enhanced power density and efficiency with lower RDSon in same footprint\n• Improved SOA and avalanche capability compared to sta;	Nexperia 安世	Nexperia
BUK9J0R9-40H	文件：282.71 Kbytes Page：12 Pages	丝印：90H940E；Package：LFPAK56E；N-channel 40 V, 0.9 mΩ logic level MOSFET in LFPAK56E 1. General description Automotive qualified N-channel MOSFET using the latest Trench 9 low ohmic superjunction technology, housed in an enhanced LFPAK56E package. This product has been fully designed and qualified to meet AEC-Q101 requirements delivering high performance and endurance. 2. Fe 文件：282.71 Kbytes 页数：12 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
BUK9J0R9-40HX	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 单个描述：BUK9J0R9-40H/SOT1023/4 LEADS	Nexperia USA Inc.	Nexperia USA Inc.
BUK9K17-60E	文件：0 bytes Page：0 Pages	LFPAK56	NEXPERIA 安世上传：深圳市朱博士电子科技有限公司	NEXPERIA
BUK9K17-60E	文件：0 bytes Page：0 Pages	LFPAK56D	NEXPERIA/安世上传：深圳市盈慧通电子有限公司	NEXPERIA/安世

技术参数

Package name：
LFPAK56E; Power-SO8
Product status：
Production
Channel type：
N
Nr of transistors：
1
VDS [max] (V)：
40
RDSon [max] @ VGS = 10 V (mΩ)：
0.94
RDSon [max] @ VGS = 4.5 V (mΩ)：
1.2
Tj [max] (°C)：
175
ID [max] (A)：
220
QGD [typ] (nC)：
12.7
QG(tot) [typ] @ VGS = 4.5 V (nC)：
54.2
QG(tot) [typ] @ VGS = 10 V (nC)：
119.99999
Ptot [max] (W)：
500
Qr [typ] (nC)：
52.600002
VGSth [typ] (V)：
1.66
Automotive qualified：
Y
Ciss [typ] (pF)：
8977
Coss [typ] (pF)：
1549
Release date：
2018-05-07

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