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BUK9K17-60E	文件：750.16 Kbytes Page：13 Pages	丝印：91760E；Package：LFPAK56D；Dual N-channel 60 V, 17 m廓 logic level MOSFET General description Dual logic level N-channel MOSFET in an LFPAK56D (Dual Power-SO8) package using TrenchMOS technology. This product has been designed and qualified to AEC Q101 standard for use in high performance automotive applications. Features and benefits • Dual MOSFET • Q101 Compliant 文件：750.16 Kbytes 页数：13 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
BUK9K17-60E_15	文件：324.32 Kbytes Page：13 Pages	Dual N-channel 60 V, 17 m logic level MOSFET 文件：324.32 Kbytes 页数：13 Pages	PHI PHI	PHI
BUK9K17-60E	文件：300 bytes Page：1 Pages	Dual N-channel 60 V, 17 mΩ logic level MOSFET Dual logic level N-channel MOSFET in an LFPAK56D (Dual Power-SO8) package using TrenchMOS technology. This product has been designed and qualified to AEC Q101 standard for use in high performance automotive applications. • Dual MOSFET\n• Q101 Compliant\n• Repetitive avalanche rated\n• Suitable for thermally demanding environments due to 175 °C rating\n• True logic level gate with VGS(th) rating of greater than 0.5V at 175°C;	Nexperia 安世	Nexperia
BUK9K17-60E	文件：0 bytes Page：0 Pages	LFPAK56D	Nexperia/安世上传：深圳市羿芯诚电子有限公司	Nexperia/安世
BUK9K17-60E	文件：0 bytes Page：0 Pages	LFPAK56	NEXPERIA 安世上传：深圳市朱博士电子科技有限公司	NEXPERIA

技术参数

Package name：
LFPAK56D; Dual LFPAK
Product status：
Production
Channel type：
N
Nr of transistors：
2
VDS [max] (V)：
60
RDSon [max] @ VGS = 10 V (mΩ)：
15.6
RDSon [max] @ VGS = 5 V (mΩ)：
17
Tj [max] (°C)：
175
ID [max] (A)：
26
QGD [typ] (nC)：
5.7
Ptot [max] (W)：
53
Qr [typ] (nC)：
16.699999
VGSth [typ] (V)：
1.7
Automotive qualified：
Y
Ciss [typ] (pF)：
1667
Coss [typ] (pF)：
160
Release date：
2013-12-11

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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