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BUK9D23-40EX	文件：311.11 Kbytes Page：15 Pages	40 V, N-channel Trench MOSFET 1. General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a medium power DFN2020MD-6 (SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits • Extended temperature range Tj = 175 °C • Side wettable flanks for o 文件：311.11 Kbytes 页数：15 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
BUK9D23-40E	文件：311.11 Kbytes Page：15 Pages	40 V, N-channel Trench MOSFET 1. General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a medium power DFN2020MD-6 (SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits • Extended temperature range Tj = 175 °C • Side wettable flanks for o 文件：311.11 Kbytes 页数：15 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
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