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BUK95180-100A	文件：332.84 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor DESCRIPTION ·DrainSourceVoltage :VDSS=100V(Min) ·LowRDS(ON) ·FastSwitchingSpeed ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·DesignedforSwitchedModePowerSupplies(SMPS), motorcontrol,welding,andingeneralpurposeswitch	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
BUK95180-100A	文件：339.16 Kbytes Page：14 Pages	N-channel TrenchMOS logic level FET 1.1Generaldescription LogiclevelN-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaplastic packageusingTrenchMOStechnology.Thisproducthasbeendesignedandqualifiedto theappropriateAECstandardforuseinautomotivecriticalapplications. 1.2Featuresandbenefits AE	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
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isc N-Channel MOSFET Transistor

DESCRIPTION ·DrainSourceVoltage :VDSS=100V(Min) ·LowRDS(ON) ·FastSwitchingSpeed ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·DesignedforSwitchedModePowerSupplies(SMPS), motorcontrol,welding,andingeneralpurposeswitch

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

BUK95180-100A

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N-channel TrenchMOS logic level FET

1.1Generaldescription LogiclevelN-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaplastic packageusingTrenchMOStechnology.Thisproducthasbeendesignedandqualifiedto theappropriateAECstandardforuseinautomotivecriticalapplications. 1.2Featuresandbenefits AE

安世安世半导体(中国)有限公司

NEXPERIA

BUK95180-100A

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Page：9 Pages

Logic level FET

PhilipsROYAL PHILIPS

飞利浦荷兰皇家飞利浦

Philips

详细参数

型号：
BUK95180-100A
功能描述：
MOSFET RAIL PWR-MOS
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多BUK95180-100A供应商更新时间2024-5-30 10:10:00

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