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BUK6Y14-40P	文件：271.14 Kbytes Page：13 Pages	40 V, P-channel Trench MOSFET 1.Generaldescription P-channelenhancementmodeMOSFETinanLFPAK56(PowerSO8)Surface-MountedDevice (SMD)plasticpackageusingTrenchMOSFETtechnology. ThisproducthasbeendesignedandqualifiedtoAEC-Q101standardforuseinhigh-performance automotiveapplicationssuchasreverse	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA

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BUK6Y14-40P

文件：271.14 Kbytes

Page：13 Pages

40 V, P-channel Trench MOSFET

1.Generaldescription P-channelenhancementmodeMOSFETinanLFPAK56(PowerSO8)Surface-MountedDevice (SMD)plasticpackageusingTrenchMOSFETtechnology. ThisproducthasbeendesignedandqualifiedtoAEC-Q101standardforuseinhigh-performance automotiveapplicationssuchasreverse

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更多BUK6Y14-40P供应商更新时间2024-6-11 15:02:00

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