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BUK6D30-40E_V01

40 V, N-channel Trench MOSFET

1. General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a medium power DFN2020MD-6 (SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits • Extended temperature range Tj = 175 °C • Side wettable flanks for o

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NEXPERIA

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BUK763R1-60E

D2PAK

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BUK765R0-100E,118

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BUK7J1R4-40HX

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BUK7K6R2-40EX

SOT1205

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更多BUK6D30-40E_V01供应商 更新时间2025-12-6 8:01:00