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BUK661R9-40C	文件：948.41 Kbytes Page：15 Pages	N-channel TrenchMOS intermediate level FET 1.1 General description Intermediate level gate drive N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using advanced TrenchMOS technology. This product has been designed and qualified to the appropriate AEC Q101 standard for use in high performance automotive appl 文件：948.41 Kbytes 页数：15 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
BUK661R9-40C	文件：397.93 Kbytes Page：15 Pages	N-channel TrenchMOS intermediate level FET 文件：397.93 Kbytes 页数：15 Pages	恩XP	恩XP
BUK661R9-40C_15	文件：397.93 Kbytes Page：15 Pages	N-channel TrenchMOS intermediate level FET 文件：397.93 Kbytes 页数：15 Pages	PHI 飞利浦	PHI
BUK661R9-40C	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-channel TrenchMOS intermediate level FET Intermediate level gate drive N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using advanced TrenchMOS technology. This product has been designed and qualified to the appropriate AEC-Q101 standard for use in high performance automotive applications. • AEC Q101 compliant\n• Suitable for intermediate level gate drive sources\n• Suitable for thermally demanding environments due to 175 °C rating;	Nexperia 安世	Nexperia

技术参数

Package version：
SOT404
Package name：
D2PAK
Product status：
Production
Channel type：
N
Number of transistors：
1
V_DS [max] (V)：
40
R_DSon [max] @ V_GS = 10 V (mΩ)：
1.9
R_DSon [max] @ V_GS = 5 V (mΩ)：
2.6
R_DSon [max] @ V_GS = 4.5 V (mΩ)：
3.1
I_D [max] (A)：
120
Q_GD [typ] (nC)：
72
Q_G(tot) [typ] @ V_GS = 10 V (nC)：
260
P_tot [max] (W)：
306
Q_r [typ] (nC)：
127
V_GSth [typ] (V)：
2.3
Automotive qualified：
Y
C_iss [typ] (pF)：
11300
C_oss [typ] (pF)：
1447
Date：
2010-09-24

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更多BUK661R9供应商更新时间2025-11-15 14:14:00

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