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BUK661R9-40C	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-channel TrenchMOS intermediate level FET; • AEC Q101 compliant\n• Suitable for intermediate level gate drive sources\n• Suitable for thermally demanding environments due to 175 °C rating\n; Intermediate level gate drive N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using advanced TrenchMOS technology. This product has been designed and qualified to the appropriate AEC-Q101 standard for use in high performance automotive applications.\n	NexperiaNexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	Nexperia
BUK661R9-40C	文件：948.41 Kbytes Page：15 Pages	N-channel TrenchMOS intermediate level FET 1.1Generaldescription IntermediatelevelgatedriveN-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET) inaplasticpackageusingadvancedTrenchMOStechnology.Thisproducthasbeen designedandqualifiedtotheappropriateAECQ101standardforuseinhighperformance automotiveappl	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BUK661R9-40C	文件：397.93 Kbytes Page：15 Pages	N-channel TrenchMOS intermediate level FET
BUK661R9-40C_15	文件：397.93 Kbytes Page：15 Pages	N-channel TrenchMOS intermediate level FET	PHIPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	PHI
BUK763R1-60E	文件：0 bytes Page：0 Pages	NEXPERIA D2PAK	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司相关企业：万三科技(深圳)有限公司	NEXPERIA

技术参数

Package version：
SOT404
Package name：
D2PAK
Product status：
Production
Channel type：
N
Number of transistors：
1
V_DS [max] (V)：
40
R_DSon [max] @ V_GS = 10 V (mΩ)：
1.9
R_DSon [max] @ V_GS = 5 V (mΩ)：
2.6
R_DSon [max] @ V_GS = 4.5 V (mΩ)：
3.1
I_D [max] (A)：
120
Q_GD [typ] (nC)：
72
Q_G(tot) [typ] @ V_GS = 10 V (nC)：
260
P_tot [max] (W)：
306
Q_r [typ] (nC)：
127
V_GSth [typ] (V)：
2.3
Automotive qualified：
Y
C_iss [typ] (pF)：
11300
C_oss [typ] (pF)：
1447
Date：
2010-09-24

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多BUK661R9-40C供应商更新时间2025-7-31 11:38:00

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