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BUK6607-55C	文件：932.44 Kbytes Page：14 Pages	N-channel TrenchMOS logic and standard level FET 文件：932.44 Kbytes 页数：14 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
BUK6607-55C_15	文件：381.56 Kbytes Page：14 Pages	N-channel TrenchMOS logic and standard level FET 文件：381.56 Kbytes 页数：14 Pages	PHI 飞利浦	PHI
BUK6607-75C	文件：935.58 Kbytes Page：14 Pages	N-channel TrenchMOS FET 文件：935.58 Kbytes 页数：14 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
BUK6607-55C	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-channel TrenchMOS logic and standard level FET Logic and standard level gate drive N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using advanced TrenchMOS technology. This product has been designed and qualified to the appropriate AEC Q101 standard for use in high performance automotive applications. • AEC Q101 compliant\n• Suitable for standard and logic level gate drives\n• Suitable for thermally demanding environments due to 175 °C rating;	Nexperia 安世	Nexperia
BUK6607-75C	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-channel TrenchMOS FET Intermediate level gate drive N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using advanced TrenchMOS technology. This product has been designed and qualified to the appropriate AEC-Q101 standard for use in high performance automotive applications. • AEC Q101 compliant\n• Suitable for intermediate level gate drive sources\n• Suitable for thermally demanding environments due to 175 °C rating;	Nexperia 安世	Nexperia

技术参数

Package version：
SOT404
Package name：
D2PAK
Product status：
Production
Channel type：
N
Number of transistors：
1
V_DS [max] (V)：
75
R_DSon [max] @ V_GS = 10 V (mΩ)：
7
R_DSon [max] @ V_GS = 5 V (mΩ)：
8.6
R_DSon [max] @ V_GS = 4.5 V (mΩ)：
9.7
I_D [max] (A)：
100
Q_GD [typ] (nC)：
35
Q_G(tot) [typ] @ V_GS = 10 V (nC)：
123
P_tot [max] (W)：
204
Q_r [typ] (nC)：
129
V_GSth [typ] (V)：
2.3
Automotive qualified：
Y
C_iss [typ] (pF)：
5610
C_oss [typ] (pF)：
441
Date：
2010-11-17

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多BUK6607供应商更新时间2025-11-4 14:14:00

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