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BUK653R2-55C	文件：465.21 Kbytes Page：15 Pages	N-channel TrenchMOS intermediate level FET 文件：465.21 Kbytes 页数：15 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
BUK653R2-55C,127	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET N-CH 55V 120A TO220AB	恩XP	恩XP
BUK763R1-60E	文件：0 bytes Page：0 Pages	D2PAK	NEXPERIA 安世上传：万三科技(深圳)有限公司	NEXPERIA
BUK765R0-100E,118	文件：0 bytes Page：0 Pages	D2PAK	NEXPERIA/安世上传：深圳市盈慧通电子有限公司	NEXPERIA/安世
BUK7J1R4-40HX	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOT1023	NEXPERIA/安世上传：深圳市拓亿芯电子有限公司	NEXPERIA/安世

详细参数

型号：
BUK653R2-55C
功能描述：
MOSFET N-CHAN 55V 120A
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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