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BUK7506-55B	文件：298.27 Kbytes Page：15 Pages	TrenchMOS standard level FET Description N-channelenhancementmodefield-effectpowertransistorinaplasticpackageusingPhilipsHigh-PerformanceAutomotive(HPA)TrenchMOS™technology. Productavailability: BUK7506-55BinSOT78(TO-220AB) BUK7606-55BinSOT404(D2-PAK). Features ■Verylowon-stateresistan	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦
BUK7506-55B	文件：456.96 Kbytes Page：15 Pages	N-channel TrenchMOS standard level FET 1.1Generaldescription StandardlevelN-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaplastic packageusingTrenchMOStechnology.Thisproducthasbeendesignedandqualifiedto theappropriateAECstandardforuseinautomotivecriticalapplications. 1.2Featuresandbenefits	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司
BUK7506-55A	文件：345.36 Kbytes Page：15 Pages	TrenchMOSstandardlevelFET Generaldescription StandardlevelN-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaplasticpackageusingTrenchMOStechnology.ThisproducthasbeendesignedandqualifiedtotheappropriateAECstandardforuseinautomotivecriticalapplications. Featuresandbenefits ■AECQ101	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司
BUK7506-55A	文件：380.04 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
BUK7506-55A	文件：985.89 Kbytes Page：13 Pages	N-channelTrenchMOSstandardlevelFET 1.1Generaldescription StandardlevelN-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaplastic packageusingTrenchMOStechnology.Thisproducthasbeendesignedandqualifiedto theappropriateAECstandardforuseinautomotivecriticalapplications. 1.2Featuresandbenefits	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司

详细参数

型号：
BUK7506-55B
功能描述：
MOSFET HIGH PERF TRENCHMOS
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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