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BUK7504-40A	文件：152.88 Kbytes Page：15 Pages	TrenchMOS standard level FET Description N-channelenhancementmodefield-effectpowertransistorinaplasticpackageusingTrenchMOS™technology,featuringverylowon-stateresistance. Productavailability: BUK7504-40AinSOT78(TO-220AB);BUK7604-40AinSOT404(D2-PAK); BUK7E04-40AinSOT226(I2-PAK). Feature	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦
BUK7504-40A	文件：332.06 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor DESCRIPTION ·DrainSourceVoltage :VDSS=40V(Min) ·LowRDS(ON) ·FastSwitchingSpeed ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·DesignedforSwitchedModePowerSupplies(SMPS), motorcontrol,welding,andingeneralpurposeswi	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
BUK7504-40A	文件：326.15 Kbytes Page：15 Pages	N-channel TrenchMOS standard level FET 1.1Generaldescription StandardlevelN-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaplastic packageusingTrenchMOStechnology.Thisproducthasbeendesignedandqualifiedto theappropriateAECstandardforuseinautomotivecriticalapplications. 1.2Featuresandbenefits	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司

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BUK7504-40A

文件：152.88 Kbytes

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TrenchMOS standard level FET

Description N-channelenhancementmodefield-effectpowertransistorinaplasticpackageusingTrenchMOS™technology,featuringverylowon-stateresistance. Productavailability: BUK7504-40AinSOT78(TO-220AB);BUK7604-40AinSOT404(D2-PAK); BUK7E04-40AinSOT226(I2-PAK). Feature

PhilipsROYAL PHILIPS

飞利浦荷兰皇家飞利浦

BUK7504-40A

文件：332.06 Kbytes

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isc N-Channel MOSFET Transistor

DESCRIPTION ·DrainSourceVoltage :VDSS=40V(Min) ·LowRDS(ON) ·FastSwitchingSpeed ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·DesignedforSwitchedModePowerSupplies(SMPS), motorcontrol,welding,andingeneralpurposeswi

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

BUK7504-40A

文件：326.15 Kbytes

Page：15 Pages

N-channel TrenchMOS standard level FET

1.1Generaldescription StandardlevelN-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaplastic packageusingTrenchMOStechnology.Thisproducthasbeendesignedandqualifiedto theappropriateAECstandardforuseinautomotivecriticalapplications. 1.2Featuresandbenefits

安世安世半导体(中国)有限公司

详细参数

型号：
BUK7504-40A
功能描述：
MOSFET RAIL MOSFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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