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BUK4D38-20P	文件：317.31 Kbytes Page：15 Pages	丝印：6F；Package：DFN2020MD-6；20 V, P-channel Trench MOSFET 1. General description P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a medium power DFN2020MD-6 (SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits • Extended temperature range Tj = 175 °C • Side wettable flanks for o 文件：317.31 Kbytes 页数：15 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
BUK4D38-20P	文件：300 bytes Page：1 Pages	20 V, P-channel Trench MOSFET P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a medium power DFN2020MD-6 (SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. • Extended temperature range Tj = 175 °C\n• Side wettable flanks for optical solder inspection\n• ElectroStatic Discharge (ESD) protection > 1 kV HBM (class H1C)\n• Trench MOSFET technology\n• AEC-Q101 qualified;	Nexperia 安世	Nexperia
BUK763R1-60E	文件：0 bytes Page：0 Pages	D2PAK	NEXPERIA 安世上传：万三科技(深圳)有限公司	NEXPERIA
BUK765R0-100E,118	文件：0 bytes Page：0 Pages	D2PAK	NEXPERIA/安世上传：深圳市盈慧通电子有限公司	NEXPERIA/安世
BUK7J1R4-40HX	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOT1023	NEXPERIA/安世上传：深圳市拓亿芯电子有限公司	NEXPERIA/安世

技术参数

Package name：
DFN2020MD‑6
Product status：
Production
Channel type：
P
Nr of transistors：
1
VDS [max] (V)：
-20
RDSon [max] @ VGS = 4.5 V (mΩ)：
38
RDSon [max] @ VGS = 2.5 V (mΩ)：
64
Tj [max] (°C)：
175
ID [max] (A)：
-18
QGD [typ] (nC)：
3.6000001
QG(tot) [typ] @ VGS = 4.5 V (nC)：
10.6
Ptot [max] (W)：
19
Qr [typ] (nC)：
5
VGSth [typ] (V)：
-0.95
Automotive qualified：
Y
Ciss [typ] (pF)：
1025
Coss [typ] (pF)：
137
Release date：
2020-07-09

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深圳市南科功率半导体有限公司	BUK4D38-20P	NK/南科功率	2025+	DFN2020-6	986966	国产	询价
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