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BUK4D38-20P数据手册Nexperia中文资料规格书
BUK4D38-20P规格书详情
描述 Description
P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a medium power DFN2020MD-6 (SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.
特性 Features
• Extended temperature range Tj = 175 °C
• Side wettable flanks for optical solder inspection
• ElectroStatic Discharge (ESD) protection > 1 kV HBM (class H1C)
• Trench MOSFET technology
• AEC-Q101 qualified
应用 Application
• DC to DC conversion
• High-speed line driver
• High-side load switch
• Switching circuits
技术参数
- 制造商编号
：BUK4D38-20P
- 生产厂家
：Nexperia
- Package name
：DFN2020MD‑6
- Product status
：Production
- Channel type
：P
- Nr of transistors
：1
- VDS [max] (V)
：-20
- RDSon [max] @ VGS = 4.5 V (mΩ)
：38
- RDSon [max] @ VGS = 2.5 V (mΩ)
：64
- Tj [max] (°C)
：175
- ID [max] (A)
：-18
- QGD [typ] (nC)
：3.6000001
- QG(tot) [typ] @ VGS = 4.5 V (nC)
：10.6
- Ptot [max] (W)
：19
- Qr [typ] (nC)
：5
- VGSth [typ] (V)
：-0.95
- Automotive qualified
：Y
- Ciss [typ] (pF)
：1025
- Coss [typ] (pF)
：137
- Release date
：2020-07-09
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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