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BUK4D110-20P	文件：299.85 Kbytes Page：15 Pages	丝印：6N；Package：DFN2020MD-6；20 V, P-channel Trench MOSFET 1. General description P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a medium power DFN2020MD-6 (SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits • Extended temperature range Tj = 175 °C • Trench MOSFET technology 文件：299.85 Kbytes 页数：15 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
BUK4D110-20P	文件：300 bytes Page：1 Pages	20 V, P-channel Trench MOSFET P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a medium power DFN2020MD-6 (SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. • Extended temperature range Tj = 175 °C\n• Trench MOSFET technology\n• Very fast switching\n• Side wettable flanks for optical solder inspection\n• ElectroStatic Discharge (ESD) protection > 1 kV HBM (class H1C)\n• AEC-Q101 qualified;	Nexperia 安世	Nexperia
BUK763R1-60E	文件：0 bytes Page：0 Pages	D2PAK	NEXPERIA 安世上传：万三科技(深圳)有限公司	NEXPERIA
BUK765R0-100E,118	文件：0 bytes Page：0 Pages	D2PAK	NEXPERIA/安世上传：深圳市盈慧通电子有限公司	NEXPERIA/安世
BUK7J1R4-40HX	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOT1023	NEXPERIA/安世上传：深圳市拓亿芯电子有限公司	NEXPERIA/安世

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