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BUK444-400B	文件：290.4 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor DESCRIPTION ·DrainSourceVoltage :VDSS=400V(Min) ·LowRDS(ON) ·FastSwitchingSpeed ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·DesignedforSwitchedModePowerSupplies(SMPS), motorcontrol,welding,andingeneralpurposesw	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

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BUK444-400B

文件：290.4 Kbytes

Page：2 Pages

iscN-ChannelMOSFETTransistor

DESCRIPTION ·DrainSourceVoltage :VDSS=400V(Min) ·LowRDS(ON) ·FastSwitchingSpeed ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·DesignedforSwitchedModePowerSupplies(SMPS), motorcontrol,welding,andingeneralpurposesw

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

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