BUJ303A数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF

厂商型号 |
BUJ303A |
参数属性 | BUJ303A 封装/外壳为TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 1000V 5A 80W DPAK |
功能描述 | High voltage bipolar transistors for lighting, SMPS and industrial applications |
封装外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 |
制造商 | WeEn WeEn Semiconductors |
中文名称 | 瑞能半导体 瑞能半导体科技股份有限公司 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-7 20:00:00 |
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BUJ303A规格书详情
描述 Description
High voltage, high speed planar passivated NPN power switching transistor in a SOT78 (TO-220AB) plastic package.
特性 Features
• Fast switching
• Low thermal resistance
• Very high voltage capability
• Very low switching and conduction losses
应用 Application
• DC-to-DC converters
• High frequency electronic lighting ballasts
• Inverters
• Motor control systems
简介
BUJ303A属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的BUJ303A晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 制造商编号
:BUJ303A
- 生产厂家
:WeEn
- Package name
:TO-220AB
- Size
:15.6 x 10.0 x 4.4
- Product status
:Production
- IC [max]
:5
- VCESM [max]
:1000
- VCEO [max]
:500
- Ptot [max]
:100
- tf [max]
:160
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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