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BUJ303A数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF

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厂商型号

BUJ303A

参数属性

BUJ303A 封装/外壳为TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 1000V 5A 80W DPAK

功能描述

High voltage bipolar transistors for lighting, SMPS and industrial applications
TRANS NPN 1000V 5A 80W DPAK

封装外壳

TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

制造商

WeEn WeEn Semiconductors

中文名称

瑞能半导体 瑞能半导体科技股份有限公司

数据手册

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更新时间

2025-8-7 20:00:00

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BUJ303A规格书详情

描述 Description

High voltage, high speed planar passivated NPN power switching transistor in a SOT78 (TO-220AB) plastic package.

特性 Features

• Fast switching
• Low thermal resistance
• Very high voltage capability
• Very low switching and conduction losses

应用 Application

• DC-to-DC converters
• High frequency electronic lighting ballasts
• Inverters
• Motor control systems

简介

BUJ303A属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的BUJ303A晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :BUJ303A

  • 生产厂家

    :WeEn

  • Package name

    :TO-220AB

  • Size

    :15.6 x 10.0 x 4.4

  • Product status

    :Production

  • IC [max]

    :5

  • VCESM [max]

    :1000

  • VCEO [max]

    :500

  • Ptot [max]

    :100

  • tf [max]

    :160

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