选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市吉银科技有限公司1年
留言
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NXP/恩智浦TO-252 |
11153 |
19+/20+ |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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NXPTO-252 |
37650 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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NXP/WEENTO-220AB |
4000 |
2022+ |
原厂授权代理 价格绝对优势 |
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深圳市明嘉莱科技有限公司3年
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NXP/恩智浦TO-252 |
860000 |
24+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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WEEN/瑞能NA/ |
4250 |
23+ |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
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深圳市金芯世纪电子有限公司1年
留言
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NXP/恩智浦SOT-252 |
100000 |
22+ |
代理渠道/只做原装/可含税 |
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深圳市品优时代科技有限公司5年
留言
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NXP/恩智浦NA |
6000 |
2021/2022+ |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
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瀚佳科技(深圳)有限公司6年
留言
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PHILIPS |
35200 |
21+ |
一级代理/放心采购 |
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深圳兆威电子有限公司6年
留言
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PHNXPSOT428TO-252DPAK |
90000 |
23+ |
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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PHILIPSTO-220 |
562000 |
2320+ |
16年只做原装原标渠道现货终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳市杰顺创科技有限公司3年
留言
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NXP/恩智浦TO-252 |
5000 |
21+ |
全新原装现货 价格优势 |
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深圳市华斯顿科技有限公司14年
留言
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NXPTO-252 |
21208 |
22+23+ |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
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深圳市胜彬电子有限公司11年
留言
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PHILIPS/飞利浦TO-220 |
8000 |
22+ |
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原装正品支持实单 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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NXP |
589220 |
16余年资质 绝对原盒原盘 更多数量 |
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深圳市特顺芯科技有限公司15年
留言
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PHSOT428TO-252DPAK |
8866 |
08+(pbfree) |
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深圳市振鑫微电子科技有限公司4年
留言
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NXP(恩智浦)N/A |
589610 |
23+ |
新到现货 原厂一手货源 价格秒杀代理! |
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深圳市凯斯宇科技有限公司9年
留言
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PHITO220-3 |
2058 |
2022 |
原厂原装正品,价格超越代理 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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NXP/WEENTO-220AB |
265209 |
假一罚十原包原标签常备现货! |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
留言
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NXP-恩智浦TO-220-3 |
78800 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
留言
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WEENTO-220-3 |
36218 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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BUJ103AX,127中文资料Alldatasheet PDF
更多BUJ103制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:Silicon Diffused Power Transistor
BUJ103A功能描述:两极晶体管 - BJT RAIL BIPOLAR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BUJ103A,127功能描述:两极晶体管 - BJT RAIL BIPOLAR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BUJ103A127制造商:Rochester Electronics LLC 制造商:NXP 制造商:NXP Semiconductors
BUJ103AD制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:Silicon diffused power transistor
BUJ103AD,118功能描述:两极晶体管 - BJT Trans GP BJT NPN 400V 4A 3-Pin(2+Tab) RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BUJ103AU制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:Silicon Diffused Power Transistor
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BUJ103AX,127功能描述:两极晶体管 - BJT SILICON DIFFUSED POWER TRANSISTOR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2