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BUJ302A	文件：19.14 Kbytes Page：4 Pages	Silicon Diffused Power Transistor GENERAL DESCRIPTION High-voltage, high-speed planar-passivated npn power switching transistor in TO220AB envelope intended for use in high frequency electronic lighting ballast applications, converters, inverters, switching regulators, motor control systems, etc. 文件：19.14 Kbytes 页数：4 Pages	PHI 飞利浦	PHI
BUJ302A	文件：195.48 Kbytes Page：2 Pages	High Voltage DESCRIPTION • High Voltage • High Speed Switching APPLICATIONS • Desined for use in high frequency electronic lighting ballast applications, converters, inverters, switching regulators, motor control systems, etc. 文件：195.48 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
BUJ302A	文件：850.82 Kbytes Page：12 Pages	NPN power transistor General description High voltage, high speed planar passivated NPN power switching transistor in a SOT78 (TO-220AB) plastic package. Features and benefits • Fast switching • Low thermal resistance • Very high voltage capability • Very low switching and conduction losses Applications • DC-t 文件：850.82 Kbytes 页数：12 Pages	WEEN 瑞能半导体	WEEN
BUJ302AD	文件：297.62 Kbytes Page：13 Pages	NPN power transistor General description High voltage, high speed planar passivated NPN power switching transistor in a SOT428 (DPAK) surface mountable plastic package. Features and benefits • Fast switching • Low thermal resistance • Surface mountable package • Very high voltage capability • Very low switching 文件：297.62 Kbytes 页数：13 Pages	WEEN 瑞能半导体	WEEN
BUJ302AD	文件：541.27 Kbytes Page：14 Pages	NPN power transistor General description High-voltage, high-speed planar-passivated NPN power switching transistor in a SOT428 (DPAK) surface mounted package. Features and benefits ■ Fast switching ■ High voltage capability ■ Low thermal resistance ■ Surface-mountable package Applications ■ DC-to-DC converters 文件：541.27 Kbytes 页数：14 Pages	PHI 飞利浦	PHI
BUJ302AX	文件：794.43 Kbytes Page：12 Pages	NPN power transistor General description High voltage, high speed planar passivated NPN power switching transistor in a SOT186A (TO-220F) full pack plastic package. Features and benefits • Fast switching • Isolated package • Low thermal resistance • Very high voltage capability • Very low switching and conducti 文件：794.43 Kbytes 页数：12 Pages	WEEN 瑞能半导体	WEEN
BUJ302AX	文件：21.64 Kbytes Page：4 Pages	Silicon Diffused Power Transistor GENERAL DESCRIPTION High-voltage, high-speed planar-passivated npn power switching transistor in a plastic full-pack envelope intended for use in high frequency electronic lighting ballast applications, converters, inverters, switching regulators, motor control systems, etc. 文件：21.64 Kbytes 页数：4 Pages	PHI 飞利浦	PHI
BUJ302A_15	文件：532.01 Kbytes Page：13 Pages	NPN power transistor 文件：532.01 Kbytes 页数：13 Pages	PHI 飞利浦	PHI
BUJ302AD_15	文件：541.27 Kbytes Page：14 Pages	NPN power transistor 文件：541.27 Kbytes 页数：14 Pages	PHI 飞利浦	PHI
BUJ302AX_15	文件：531.38 Kbytes Page：13 Pages	NPN power transistor 文件：531.38 Kbytes 页数：13 Pages	PHI 飞利浦	PHI

技术参数

Package name：
TO-220AB
Size：
15.6 x 10.0 x 4.4
Product status：
Production
IC [max]：
4
VCESM [max]：
1050
VCEO [max]：
400
Ptot [max]：
80
hFE [typ]：
42
@ IC：
0.8

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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