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零件编号	下载&订购	功能描述	制造商&上传企业
BUF653	文件：132.86 Kbytes Page：8 Pages	Silicon NPN High Voltage Switching Transistor Features ●Simple-sWitch-OffTransistor(SWOT) ●HIGHSPEEDtechnology ●Planarpassivation ●100kHzswitchingrate ●Verylowswitchinglosses ●Verylowdynamicsaturation ●Verylowoperatingtemperature ●OptimizedRBSOA ●Highreversevoltage Applications Electroniclampballas	TemicTEMIC 杰驰电子
653	文件：76.05 Kbytes Page：1 Pages	MINIATUREFUSEHOLDERS	LittelfuseLittelfuse Inc. 力特力特公司
BLK-E653	文件：178.99 Kbytes Page：2 Pages	DCBlock1.85mm-Fto1.85mm-M	MINIMini-Circuits 微型电路
BLK-E653+	文件：178.99 Kbytes Page：2 Pages	DCBlock1.85mm-Fto1.85mm-M	MINIMini-Circuits 微型电路
C653	文件：501.68 Kbytes Page：1 Pages	500WATTS(AC)DC/DCSINGLEOUTPUT Features •SingleOutput •3Ux42TEx166.5mm •Weight:3.5kg	POWERBOX Powerbox manufactures
CM653	文件：220.76 Kbytes Page：1 Pages	S-8DoubleContactBayonetBase S-8DoubleContactBayonetBase S-8DoubleContactIndexBase S-11SingleContactBayonetBase	CMLCML CML
CM653	文件：33.69 Kbytes Page：1 Pages	ContactBayonetBase S-8DoubleContactBayonetBase S-8DoubleContactIndexBase S-11SingleContactBayonetBase	VCC Visual Communications Company
CN653	文件：146.92 Kbytes Page：5 Pages	NPNSILICONPLANAREPITAXIALTRANSISTORS	CDIL CDIL
CNS653-ME	文件：1.35743 Mbytes Page：8 Pages	650WattAC-DCPowerSupplies	ARTESYNArtesyn Embedded Technologies 雅特生雅特生科技
CNS653-MU	文件：1.35743 Mbytes Page：8 Pages	650WattAC-DCPowerSupplies	ARTESYNArtesyn Embedded Technologies 雅特生雅特生科技
CNS653-MU	文件：1.41675 Mbytes Page：8 Pages	TypeBFready	ARTESYNArtesyn Embedded Technologies 雅特生雅特生科技
CP653	文件：98.48 Kbytes Page：2 Pages	POWERFET??SILICONEPITAXIALJUNCTIONN-CHANNELFIELDEFFECTTRANSISTORS	TELEDYNE TELEDYNE
FDC653	文件：70.75 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription ThisN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsisproducedusingFairchildsproprietary,highcelldensity,DMOStechnology.Thisveryhighdensityprocessistailoredtominimizeon-stateresistance.Thesedevicesareparticularlysuitedforlowvoltageapplic	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FDC653N	文件：70.75 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription ThisN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsisproducedusingFairchildsproprietary,highcelldensity,DMOStechnology.Thisveryhighdensityprocessistailoredtominimizeon-stateresistance.Thesedevicesareparticularlysuitedforlowvoltageapplic	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FXT653	文件：32.45 Kbytes Page：1 Pages	NPNSILICONPLANARMEDIUMPOWERTRANSISTOR FEATURES 100VoltVCEO 2Ampscontinuouscurrent Lowsaturationvoltage Ptot=1Watt	Zetex Zetex Semiconductors
FZT653	文件：96.54 Kbytes Page：2 Pages	NPNSILICONPLANARHIGHPERFORMANCETRANSISTOR FEATURES *Lowsaturationvoltage	Zetex Zetex Semiconductors
FZT653	文件：38.84 Kbytes Page：2 Pages	NPNSiliconPlanarHighPerformanceTransistor Features ●Lowsaturationvoltage	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司
FZT653	文件：108.31 Kbytes Page：2 Pages	SOT223NPNSILICONPLANARHIGHPERFORMANCETRANSISTOR Features •BVCEO>100V •IC=3AHighContinuousCurrent •ICM=6APeakPulseCurrent •LowSaturationVoltageVCE(sat)	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技
FZT653	文件：641.43 Kbytes Page：7 Pages	100VNPNHIGHPERFORMANCETRANSISTOR	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技
FZT653Q	文件：668.52 Kbytes Page：7 Pages	100VNPNHIGHPERFORMANCETRANSISTOR Features •BVCEO>100V •IC=2AHighContinuousCurrent •ICM=6APeakPulseCurrent •LowSaturationVoltageVCE(SAT)	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技

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详细参数

型号：
BUF653
功能描述：
TRANSISTOR | BJT | NPN | 400V V(BR)CEO | 11A I(C) | TO-220AB

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	BUF653	VISHAY/威世	21+ROHS	TO220	28888	原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种	询价
无锡固电半导体股份有限公司	BUF653	isc	2024	TO-220	175	国产品牌isc,可替代原装	询价
深圳市伟胜微电子有限公司	BUF654	TFK	18+	TO220	999999	进口全新原装现货	询价
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司	BUF656B	FSC	23+	TO-TO-220	12300	全新原装真实库存含13点增值税票!	询价
深圳市维尔达电子有限公司	BUF656B	FSC	2023+	TO-220	80000	一级代理/分销渠道价格优势十年芯程一路只做原装正品	询价
深圳市威尔健半导体有限公司	BUF656B	FAIRCHILD/仙童	23+	TO-220	69820	终端可以免费供样,支持BOM配单!	询价
深圳市国宇半导体科技有限公司	BUF656B	FAIRCHILD/仙童	23+	TO-220	10000	公司只做原装正品	询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	BUF656B	FAIRCHILD/仙童	TO-220	22+	6000	十年配单,只做原装	询价

更多BUF653供应商更新时间2024-4-27 11:10:00

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