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ECB-930G	文件：526.26 Kbytes Page：2 Pages	QsevenCarrierBoard	AAEONAAEON Technology 研扬科技研扬科技（苏州）有限公司	AAEON
EN930D	文件：97.06 Kbytes Page：5 Pages	Large-CurrentSwitchingApplications Features •FBETandMBITprocessed •Lowsaturationvoltage •LargecurrentcapacityandwideSOA Applications •Powersupplies,relaydrivers,lampdrivers,andautomotivewiring	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
FLUKE-930	文件：3.95517 Mbytes Page：6 Pages	Environmentalexpertseries Features: ••Abilitytomeasurewindspeedinfeetperminuteormeterspersecond ••Datacaptureusingonebuttonandtheabilitytoaveragemultiplereadings ••MinandMaxalarmsettingtoalerttheuserwhenlimitshavebeenmet ••Durableovermoldhousingtoprotecttheunitfromdrops ••1	FLUKEFluke Corporation 福禄克	FLUKE
FT930Q	文件：939.25 Kbytes Page：65 Pages	EmbeddedMicrocontroller Highperformance,lowpowermixed16-bit/32-bit FT32Bcoreprocessor,runningatafrequencyof 100MHz. 128kBon-chipFlashmemory. 128kBon-chipshadowprogrammemory. TrueZeroWaitStates(0WS)upto3.1DMIPSper MHzperformance. 32kBon-chipdatamemory. IntegratedPhase-L	BRIDGETEK Bridgetek Pte Ltd.	BRIDGETEK
FT930Q-R	文件：939.25 Kbytes Page：65 Pages	EmbeddedMicrocontroller Highperformance,lowpowermixed16-bit/32-bit FT32Bcoreprocessor,runningatafrequencyof 100MHz. 128kBon-chipFlashmemory. 128kBon-chipshadowprogrammemory. TrueZeroWaitStates(0WS)upto3.1DMIPSper MHzperformance. 32kBon-chipdatamemory. IntegratedPhase-L	BRIDGETEK Bridgetek Pte Ltd.	BRIDGETEK
FT930Q-T	文件：939.25 Kbytes Page：65 Pages	EmbeddedMicrocontroller Highperformance,lowpowermixed16-bit/32-bit FT32Bcoreprocessor,runningatafrequencyof 100MHz. 128kBon-chipFlashmemory. 128kBon-chipshadowprogrammemory. TrueZeroWaitStates(0WS)upto3.1DMIPSper MHzperformance. 32kBon-chipdatamemory. IntegratedPhase-L	BRIDGETEK Bridgetek Pte Ltd.	BRIDGETEK
FT930Q-X	文件：939.25 Kbytes Page：65 Pages	EmbeddedMicrocontroller Highperformance,lowpowermixed16-bit/32-bit FT32Bcoreprocessor,runningatafrequencyof 100MHz. 128kBon-chipFlashmemory. 128kBon-chipshadowprogrammemory. TrueZeroWaitStates(0WS)upto3.1DMIPSper MHzperformance. 32kBon-chipdatamemory. IntegratedPhase-L	BRIDGETEK Bridgetek Pte Ltd.	BRIDGETEK
G930	文件：142.66 Kbytes Page：5 Pages	3.5V400mALowDropoutRegulator	GMTGlobal Mixed-mode Technology Inc 致新科技	GMT
G930	文件：196.73 Kbytes Page：8 Pages	3.5V400mALowDropoutRegulator GeneralDescription TheG930/G931positive3.5Vvoltageregulatorfeaturestheabilitytosource400mAofoutputcurrentwithadropoutvoltageoftypically0.8Vovertheentireoperatingtemperaturerange.Alowquiescentcurrentisprovidedovertheentireoutputcurrentrange.Thetypicalqu	GMTGlobal Mixed-mode Technology Inc 致新科技	GMT
GL-930	文件：494.21 Kbytes Page：2 Pages	PHOTOTUBE	GECGeneral Electric Company 美国通用电气公司	GEC

晶体管资料

型号：
BU930P
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-N+Darl+Di
性质：
开关管（S）_功率放大（L）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
400V
最大电流允许值：
15A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
BU941,BUT13,BUT14,BUT15,
最大耗散功率：
105W
放大倍数：
β>300
图片代号：
E-4
vtest：
400
htest：
999900
atest：
15
wtest：
105

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多BU930P供应商更新时间2025-5-22 10:34:00

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