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BU810分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

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厂商型号

BU810

参数属性

BU810 封装/外壳为TO-220-3;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN DARL 400V 7A TO220

功能描述

MEDIUM VOLTAGE NPN FAST-SWITCHING DARLINGTON TRANSISTOR
TRANS NPN DARL 400V 7A TO220

封装外壳

TO-220-3

文件大小

63.96 Kbytes

页面数量

4

生产厂商

STMICROELECTRONICS

中文名称

意法半导体

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数据手册

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更新时间

2026-2-9 17:17:00

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晶体管资料

  • 型号:

    BU810

  • 别名:

    BU810三极管、BU810晶体管、BU810晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-N+Darl+Di

  • 性质:

    开关管 (S)_功率放大 (L)

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    600V

  • 最大电流允许值:

    7A

  • 最大工作频率:

    <1MHZ或未知

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

    2SD798,2SD799,

  • 最大耗散功率:

    75W

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    B-10

  • vtest:

    600

  • htest:

    999900

  • atest:

    7

  • wtest:

    75

BU810规格书详情

BU810属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由意法半导体集团制造生产的BU810晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

DESCRIPTION

The BU810 is a Multiepitaxial Planar NPN Transistor in TO-220 package. It is intended for use in high frequency and efficency converters, switching regulators and motor control.

■ STMicroelectronics PREFERRED SALESTYPE

■ NPN DARLINGTON

■ LOW BASE-DRIVE REQUIREMENTS

■ FAST SWITCHING SPEED

■ INTEGRATED ANTIPARALLEL COLLECTOR-EMITTER DIODE

APPLICATIONS

■ HORIZONTAL DEFLECTION FOR MONOCHROME TVs

■ GENERAL PURPOSE SWITCHING

产品属性

更多
  • 产品编号:

    BU810

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 晶体管类型:

    NPN - 达林顿

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    3V @ 700mA,7A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    1mA

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3

  • 供应商器件封装:

    TO-220

  • 描述:

    TRANS NPN DARL 400V 7A TO220

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST
26+
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60000
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