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BU705DF	文件：107.31 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION • Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS)= 700V (Min) • High Switching Speed • Built-in Integrated Efficiency Diode APPLICATIONS • Designed for use in horizontal deflection circuits of TV receivers. 文件：107.31 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
BU705DF	文件：137.31 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor 文件：137.31 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
BU705DF	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans GP BJT NPN 700V 2.5A	NJS 新泽西半导体	NJS
LNC705PS	文件：40.45 Kbytes Page：2 Pages	GaAlAs Semiconductor Laser 文件：40.45 Kbytes 页数：2 Pages	PANASONIC 松下	PANASONIC
MCR705A	文件：107.63 Kbytes Page：4 Pages	Silicon Controlled Rectifiers Silicon Controlled Rectifiers Reverse Blocking Triode Thyristors . . . PNPN devices designed for high volume, low cost consumer applications such as temperature, light and speed control; process and remote control; and warning systems where reliability of operation is critical. • Small Size • P 文件：107.63 Kbytes 页数：4 Pages	MOTOROLA 摩托罗拉	MOTOROLA
SM705	文件：36.69 Kbytes Page：2 Pages	SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR General Description Silicon VDMOS and LDMOS transistors designed specifically for broadband RF applications. Suitable for Military Radios, Cellular and Paging Amplifier Base Stations, Broadcast FM/AM, MRI, Laser Driver and others. 150.0 Watts Single Ended Package Style AM HIGH EFFICI 文件：36.69 Kbytes 页数：2 Pages	POLYFET	POLYFET

晶体管资料

型号：
BU705DF
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-N+Di
性质：
绝缘（Iso）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
1500V
最大电流允许值：
2.5A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
BU076DF,2SD1553,2SD1649,2SD1876,
最大耗散功率：
29W
放大倍数：
图片代号：
B-70
vtest：
1500
htest：
999900
atest：
2.5
wtest：
29

技术参数

Configuration：
Single
Material：
Si
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage：
5@0.9A@2AV
Maximum Collector Emitter Voltage：
700V
Maximum DC Collector Current：
2.5A
Maximum Emitter Base Voltage：
5V
Maximum Operating Temperature：
150ﾡC
Maximum Power Dissipation：
29000mW
Maximum Transition Frequency：
7(Typ)MHz
Type：
NPN

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